產(chǎn)品特點(diǎn)

• 易操作式多功能選配附件
  

• 全自動(dòng)樣品傳送停放

• 高性能大面積和微區(qū) XPS 分析

• 快速精準(zhǔn)深度剖析

• 為電池、半導(dǎo)體、有機(jī)器件以及其他各領(lǐng)域提供全面解決方案

簡單易操作

PHI GENESIS 儀器高性能、全自動(dòng)化、簡單易操作。操作界面可在同一個(gè)屏幕內(nèi)設(shè)置常規(guī)和高級(jí)的多功能測試參數(shù)，同時(shí)保留諸如進(jìn)樣照片導(dǎo)航和 SXI 二次電子影

像精準(zhǔn)定位等功能。

簡單友好的用戶界面

PHI GENESIS 提供了一個(gè)簡單、直觀且易于操作的用戶界面，對(duì)操作人員非常友好，操作人員執(zhí)行簡單的設(shè)置操作即可完成包括所有選配附件在內(nèi)的自動(dòng)化分析。

多功能選配附件

原位的多功能自動(dòng)化分析，涵蓋了從LEIPS 測試導(dǎo)帶到 HAXPES 芯能級(jí)激發(fā)的全范圍技術(shù)，相比于傳統(tǒng)的 XPS 而言，PHI GENESIS 體現(xiàn)了性能價(jià)值。

全面的優(yōu)良解決方案 :

高性能 XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他選配附件可以滿足所有表面分析需求。

多數(shù)量樣品大面積分析

-多數(shù)量樣品大面積分析

- 把制備好樣品的樣品托放進(jìn)進(jìn)樣腔室后將自動(dòng)傳送進(jìn)分析腔室內(nèi)

- 可同時(shí)使用三個(gè)樣品托

- 80mm×80mm 的大樣品托可放置多數(shù)量樣品

- 可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復(fù)雜等各種各樣的樣品

unique可聚焦≤ 5μm 的微區(qū) X 射線束斑

在 PHI GENESIS 中，聚焦掃描 X 射線源可以激發(fā)二次電子影像（SXI），利用二次電子影像可以進(jìn)行導(dǎo)航、精準(zhǔn)定位、多點(diǎn)多區(qū)域同時(shí)分析測試以及深度剖析。

大幅提升的二次電子影像（SXI）

二次電子影像（SXI）精準(zhǔn)定位，保證了所見即所得。的 5μmX 射線束斑為微區(qū) XPS分析應(yīng)用提供了新的機(jī)遇。

快速深度剖析

PHI GENESIS 可實(shí)現(xiàn)高性能的深度剖析。聚焦 X 射線源、高靈敏度探測器、高性能氬離子槍和高效雙束中和系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)深度剖析，包括在同一個(gè)濺射刻蝕坑內(nèi)進(jìn)行多點(diǎn)同時(shí)分析。

高性能的深度剖析能力

( 下圖左 ) 全固態(tài)電池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地顯示了在 2.0 μm 以下富 Li 界面的存在。( 下圖右 ) 在 LiPON 膜沉積初期，可以看到氧從 LiCoO2 層轉(zhuǎn)移到 LiPON 層中，使 Co 在 LiCoO2 層富 Li 界面由氧化態(tài)還原為金屬態(tài)。

角分辨 XPS 分析

無需濺射刻蝕的深度探索

下一代透明發(fā)光材料使用直徑約為 10nm~50nm 的納米量子點(diǎn)（QDs），結(jié)合使用XPS（Al Kα X 射線）和HAXPES（Cr Kα X 射線）對(duì)同一微觀特征區(qū)域進(jìn)行分析，可以對(duì) QDs 進(jìn)行詳細(xì)的深度結(jié)構(gòu)分析。XPS 和 HAXPES 的結(jié)合使用，可以對(duì)納米顆粒進(jìn)行

深度分辨、定量和化學(xué)態(tài)分析，從而避免離子束濺射引起的損傷。

深層界面的分析

應(yīng)用領(lǐng)域

主要應(yīng)用于電池、半導(dǎo)體、光伏、新能源、有機(jī)器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材料及器件領(lǐng)域。用于全固態(tài)電池、半導(dǎo)體、光伏、催化劑等領(lǐng)域的功能材料都是復(fù)雜的多組分材料，其研發(fā)依賴于化學(xué)結(jié)構(gòu)到性能的不斷優(yōu)化。ULVAC-PHI, Inc. 提供的全新表面分析儀器 “PHI GENESIS” 全自動(dòng)多功能掃描聚焦 X射線光電子能譜儀，具有性能、高自動(dòng)化和靈活的擴(kuò)展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能分析平臺(tái)在各種研究領(lǐng)域的應(yīng)用