一、主要技術(shù)性能指標(biāo)

      系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及功能概述

本鍍膜系統(tǒng)為圓形真空室結(jié)構(gòu)，后部抽氣，正面開門結(jié)構(gòu)，采用優(yōu)質(zhì)奧氏體不銹鋼制造。濺射沉積室頂板上安裝有一只2inch磁控濺射靶，出射束流方向朝向基片架并在基片上得到薄膜。該設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，可用于研究和開發(fā)納米級單層及多層功能膜，如硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜、復(fù)合膜、鐵磁膜和磁性薄膜等新型薄膜材料。

二、工作原理

濺射沉積系統(tǒng)為一單靶濺射沉積系統(tǒng)，靶固定在真空室頂板上，靶基距可以通過基片架的升降來調(diào)節(jié)（靶基距60mm～90mm可調(diào)）?；芸缮?，采用磁流體密封裝置+步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動，滿足基片旋轉(zhuǎn)要求。

  A、真空獲得及壓力控制

真空獲得系統(tǒng)利用渦輪分子泵作為主泵，機(jī)械旋片泵作為前級泵對真空系統(tǒng)抽氣。真空度控制通過和主泵相連的節(jié)流閥來實現(xiàn)。

  B、濺射電源

一只500W數(shù)字式直流濺射電源。

三、系統(tǒng)主要參數(shù)

• 極限真空度：≤6×10^-5Pa（清潔+烘烤去氣條件下12小時內(nèi)獲得）；
• 抽真空時間：20分鐘內(nèi)，≤6×10^-4Pa；
• 基片加熱溫度：≤600℃；
• 基片尺寸：≤Φ2inch的圓片；
• 基片架數(shù)量：1套；
• 靶材尺寸：直徑50mm；
• 靶數(shù)量：1只；
• 真空室尺寸：DN220*340（根據(jù)實際情況可能會適當(dāng)調(diào)整）；
• 基片架移動距離：≤50mm（軸向方向）；
• 氣路系統(tǒng)：2路進(jìn)氣，其中1路為放氣使用；

四、系統(tǒng)主要配置清單：