反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導化學反應來實現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。

本設備適用于常規(guī)尺寸樣片（不超過φ4英寸）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有SiO2、Si2N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導體材料、部分金屬等，設備具有選擇比高、刻蝕速度快、重復性好等優(yōu)點。裝置帶負偏壓，可實現(xiàn)更多的各向異性蝕刻輪廓。裝置示意及實物圖如下：

裝置參數(shù)介紹：

• 腔體組件

    刻蝕真空腔體采用圓筒形結構，優(yōu)質304不銹鋼材質焊接而成，直徑280mm，高度180mm，側面開門，下方設有偏壓樣品臺及多孔抽氣口（抽氣更均勻），樣品臺直徑120mm，可放置直徑100mm樣品。主腔體上部設有帶導流罩的ICP源及進氣口。

• 電源系統(tǒng)

一套射頻電源連接纏繞在腔體外的螺旋線圈，使線圈產(chǎn)生感應耦合的電場，在電場作用下刻蝕氣體輝光放電產(chǎn)生高密度等離子體，一套偏壓電源連接在樣品臺上使得等離子體產(chǎn)生定向運動，獲得各向異性蝕刻輪廓。

• 進氣及真空抽氣系統(tǒng)

   系統(tǒng)進氣采用4路質量流量計控制進氣，流量200SCCM。另外配備一路保護氣體入口，用于吹掃腔體及腔體放氣。真空抽氣采用一臺4L雙級旋片式真空泵及閥門組成，真空測量采用一套數(shù)顯熱偶真空計。

• 臺架及控制系統(tǒng)

裝置采用一體化設計，整機尺寸約600mm*600*700mm(高)，底部設有腳輪，刻蝕腔體固定在臺架上部，控制部分采用手動邏輯控制。