設備特點
此款設備是專為生長石墨烯、碳納米管研制的生長專用爐，也同樣適用于要求升降溫速度比較快的CVD實驗，溫區(qū)可獨立程序控制，設備操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。
1.加熱系統(tǒng)
| 溫度 | 1200℃ |
| 使用溫度 | ≤1100℃ |
| 石英管尺寸 | Φ25/φ50/φ60/Φ80/φ100*1400mm |
| 爐膛材料 | 氧化鋁、高溫纖維制品 |
| 熱電偶類型 | K型熱電偶 |
| 控溫精度 | ±1℃ |
| 控溫方式 | 30段可編程控溫，PID參數(shù)自整定。 |
| 加熱長度 | 440mm |
| 恒溫區(qū)長度 | 200mm |
| 加熱原件 | 電阻絲 |
| 供電電源 | 單相，220V，50Hz |
2、三路質子流量控制系統(tǒng)
| 連接頭類型 | 雙卡套不銹鋼接頭 |
| 標準量程（N2) | 200sccm，500sccm、1000sccm（可根據用戶要求定制） |
| 準確度 | ±1.5%F.S |
| 線性 | ±1%F.S |
| 重復精度 | ±0.2%F.S |
| 響應時間 | 氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec |
| 工作壓差范圍 | 0.1～0.5 MPa |
| 壓力 | 3MPa |
| 接口 | Φ6,1/4'' |
| 顯示 | 4位數(shù)字顯示 |
| 工作環(huán)境溫度 | 5~45高純氣體 |
| 壓力真空表 | －0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
| 截止閥 | Φ6 |
| 內外雙拋不銹鋼管 | Φ6 |
3、低真空機組
| 空氣相對濕度 | ≤85% |
| 工作環(huán)境 | 5℃～40℃ |
| 工作電電壓 | 220V±10% 50~60HZ |
| 功率 | 1KW |
| 抽氣速率 | 10m³/h |
| 極限真空 | 5X10-1Pa |
| 工作壓力范圍 | 1.01325X105～1.33X10-2Pa |
| 耐壓值 | 0.03MPa |
| 容油量 | 1.1L |
| 進氣口口徑 | KF25 |
| 排氣口口徑 | KF25 |
| 噪音 | 50dB |
| 連接方式 | 采用波紋管，手動擋板閥與波紋管相連 |
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