中心傳感單元采用高精度單晶硅差壓傳感器技術(shù)與封裝工藝,單晶硅差壓傳感器位于金屬本體最頂部,遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面,實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離;玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線實(shí)現(xiàn)了與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣,提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力。鉑金級(jí)精度達(dá)到±0.05%,單向過壓可達(dá)25MPa。優(yōu)異的靜壓性能,靜壓誤差可控制在±0.05%/10MPa以內(nèi),溫度影響變化極小,可控制在±0.04%/10KPa。
在電路設(shè)計(jì)上采用以微處理器為核心并輔助以數(shù)字隔離技術(shù)的模塊化設(shè)計(jì),使差壓變送器具有抗干擾性及穩(wěn)定性。使用Hart協(xié)議進(jìn)行通訊,可通過Hart 手操器或安裝 Hart 軟件的電腦進(jìn)行遠(yuǎn)程操作,完成測(cè)量信息組態(tài),同時(shí)采用數(shù)字化補(bǔ)償技術(shù),并通過內(nèi)置溫度傳感器對(duì)變送器進(jìn)行補(bǔ)償,提高了測(cè)量精度,降低了溫度漂移,具有長期穩(wěn)定性好,可靠性高等特點(diǎn)。快捷菜單方便進(jìn)行操作,并可完成全部參數(shù)設(shè)置,全面提升差壓變送器的性能。
◆智能高精度單晶硅差壓變送器優(yōu)勢(shì)
◇單晶硅傳感器技術(shù)與封裝工藝,精心研制出的一款超高性能差壓變送器
◇微處理器為核心并輔助以數(shù)字隔離技術(shù)的模塊化設(shè)計(jì),使差壓變送器具有抗干擾性及穩(wěn)定性
◇性能*的24位ADC實(shí)現(xiàn)高精度
◇創(chuàng)新的雙補(bǔ)償技術(shù)真正的0.05級(jí)高精度
◆智能高精度單晶硅差壓變送器性能參數(shù)
測(cè)量介質(zhì):氣體、蒸汽、液體
不精確度:±0.05%、±0.075%、±0.1%、±0.2%(包括從零點(diǎn)開始的線性、回差和重復(fù)性)
穩(wěn)定性:±0.1%/3年
環(huán)境溫度影響:≤±0.04%URL/10℃
靜壓影響:±0.05%/10MPa
電源:12~36V DC(推薦24V DC)
電源影響 : ±0.001% /10V 可忽略不計(jì)
平方根輸出精度為以上線性參考精度的 1.5 倍
環(huán)境溫度:-40℃ ~85℃
測(cè)量介質(zhì)溫度:-40℃~120℃
貯藏溫度:-40℃ ~105℃
顯示:LCD、OLED
顯示器顯示模塊溫度:-20℃~70℃(LCD)、-40℃~80℃(OLED)




























































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