CCT射頻高Q多層片式電容|高Q電容|ATC電容

適用于微波相控陣?yán)走_(dá)T/R組件、射頻功率放大器、濾波器、振蕩器、計(jì)時(shí)電路、天線調(diào)諧、磁共振成像系統(tǒng)等設(shè)備中起耦合、調(diào)諧、旁路、隔直作用;
1.特點(diǎn)
尺寸規(guī)格系列化,適用于混合集成電路或印刷電路的表面貼裝元件;
具有高Q值、低ESR、可靠性高的特點(diǎn);
損耗低、電容量穩(wěn)定性高、工作頻率可達(dá)3GHz;
標(biāo)生產(chǎn)線生產(chǎn);
通訊、雷達(dá)、彈引信、艦船及航空、航天系統(tǒng)的地面電子設(shè)備及民用設(shè)備;
使用于各類設(shè)備中的高頻電路、VHF-微波段、射頻及放大電路中。
2.主要性能指標(biāo)
溫度系數(shù):C0G:0±30ppm/℃;
電容量漂移:不超過±0.2%或±0.05pF,取較大者;
品質(zhì)因數(shù)(Q值):頻率為1MHz/1KHz時(shí)大于2000
老化特性:無;
絕緣電阻;在20℃下:≥100000MΩ
工作溫度:-55~125℃





































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