相位調(diào)制器

1.相位調(diào)制器PM25

·兩個(gè)晶體布儒斯特角的補(bǔ)償
·布儒斯特窗
·非常高的傳輸
·連接器:4毫米banana插頭
·不同版本的波長(zhǎng)范圍250到1100納米之間
·波前畸變:<λ/ 10 在633nm
·帶寬(3 dB):100 MHz
·電容:30 pF
·連續(xù)電壓:1500 V
·操作溫度:10-45°C
·重量:約500克(17.6盎司)

2.相位調(diào)制器PM-C-BB

·布魯斯特窗MgO-LiNbO3晶體
·寬波長(zhǎng)范圍450 - 3000 nm(除LiNbO3吸收的2.82 - 2.84µm外)
·光致折變高損傷閾值> 100 W /mm2@1064 nm(cw操作,根據(jù)波長(zhǎng))
·高傳播
·小殘余振幅調(diào)制
·緊湊的設(shè)計(jì)
·電容:10 pF
·PM-C-BB(T)內(nèi)置有源溫度穩(wěn)定(< 10pF)
·波前畸變:<λ/ 4 633nm
·帶寬:DC- 500 MHz(> 10 MHz resonance-free)
·連接器:1x SMA

3.激光調(diào)制器LM13

·不同的版本:通用調(diào)制器,帶薄膜偏振的強(qiáng)度調(diào)制器（P）,相位調(diào)制器(pha)
·兩晶體的補(bǔ)償
·連接器:4毫米banana插頭
·不同版本的波長(zhǎng)范圍250到1100納米之間
·消光比:> 250:1(VIS、IR)或> 100:1(UV)(在連續(xù)波之間的交叉偏振器件之間測(cè)量)
·波前畸變:<λ/ 4 633nm
·帶寬(3 dB):100 MHz
·電容:46 pF
·連續(xù)電壓:800 V
·操作溫度:10 - 45°C
·重量:約800克(28.2盎司)

4.激光調(diào)制器LM 0202

·不同的版本:通用調(diào)制器,帶薄膜偏振的強(qiáng)度調(diào)制器（P）,相位調(diào)制器(pha)
·四晶體的補(bǔ)償
·連接器:4毫米banana插頭
·不同版本的波長(zhǎng)范圍250到1100納米之間
·消光比:> 250:1(VIS、IR)或> 100:1(UV)(在連續(xù)波之間的交叉偏振器件之間測(cè)量)
·波前畸變:<λ/ 4 633nm
·帶寬(3 dB):100 MHz
·電容:82 pF
·連續(xù)電壓:800 V
·操作溫度:10 - 45°C
·重量:約500克(17.6盎司)

5.SINE-Amplifier （正弦放大器）相位調(diào)制器

·緊湊的設(shè)計(jì)
·可以用于PM-C-BB,
·PM25，LM 13和LM 0202
·大的調(diào)制帶寬
·高輸出電壓
·效益的成本
·調(diào)制器包括電纜和適配器
·電源（電源和適配器適合EU,US,GB,AUS的要求)輸入波形:正弦波
·輸入電壓：.+ 13 dBm
·LM 0202帶寬:大約4 - 7MHz
·PM-C-BB帶寬:大約5 - 12 MHz
·輸出電壓與LM 0202:200 V @ 5 - 7MHz頻率
·輸出電壓與PM-C-BB大約:> 500 V @ 8 - 12 MHz的頻率
·電源電壓(電源包括):+ 12 V直流
·尺寸:115x65x70mm3