可控硅動(dòng)態(tài)關(guān)斷時(shí)間測(cè)試設(shè)備主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測(cè)試。
本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試臺(tái)(下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)),規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的主要技術(shù)要求,參數(shù)范圍,操作流程,試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。
本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定,所提供的貨物應(yīng)符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范中所提要求。
1. 引用標(biāo)準(zhǔn)[濱1]
GB/T 15291-2015 半導(dǎo)體器件 第6部分:晶閘管
JB/T 7624-2013 整流二極管測(cè)試方法
JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測(cè)試方法
以及國(guó)標(biāo)、IEC、IEEE相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),以上標(biāo)準(zhǔn)均執(zhí)行新版本。如本技術(shù)規(guī)范與上述各標(biāo)準(zhǔn)之間有矛盾,則應(yīng)滿足較高標(biāo)準(zhǔn)。
2. 技術(shù)要求
序號(hào) | 項(xiàng)目 | 參數(shù) | 備注 | |
1 | 常規(guī)開通 | 通態(tài)電流 | 范圍:200-10000A,連續(xù)可調(diào); | |
主電容電壓 | 范圍:300-7000V,連續(xù)可調(diào); | |||
導(dǎo)通電流寬度設(shè)定范圍 | 10μs-5ms | |||
上升時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-20μs±3%±0.05μs | |||
開通反饋延遲時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-20μs±3%±0.05μs | |||
開通延遲時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-20μs±3%±0.05μs | |||
開通能量測(cè)量范圍 | 0.01-200J±3%±0.1J | |||
開通di/dt測(cè)量范圍 | 10-5000A/μs±3%±10A/μs | |||
2 | 常規(guī)關(guān)斷 | 關(guān)斷電流 | 范圍:200-10000A,連續(xù)可調(diào); | |
關(guān)斷反饋延遲時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-20μs±3%±0.05μs | |||
關(guān)斷延遲時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-40μs±3%±0.05μs | |||
關(guān)斷能量測(cè)量范圍 | 0.01-1000J±3%±0.1J | |||
斷態(tài)電壓上升率測(cè)量范圍 | 10-5000V/μs±3%±10V/μs | |||
斷態(tài)電流下降率測(cè)量范圍 | 10-10000A/μs±3%±10A/μs | |||
*主回路寄生電感 | ≤300nH | |||
3 | 極限關(guān)斷 | 關(guān)斷電流 | 范圍:<20000A; | 設(shè)備能力 |
4 | 數(shù)據(jù)采集和處理單元 | 示波器 | 帶寬不低于500MHz,采樣率不低于6.5Gs/s | |
試品控制方式 | 光纖控制 |
2.1. 自動(dòng)恒溫壓力夾具
序號(hào) | 項(xiàng)目 | 參數(shù) | 備注 |
1 | 工作方式 | 自動(dòng),氣動(dòng) | |
2 | 壓力范圍 | 10~130KN;分辨率0.1 KN,精度±5%±1KN。 | |
3 | 溫度控制范圍 | 70~180℃,分辨率0.1℃; | 高壓陽(yáng)極控溫器采用非接觸式測(cè)溫 |
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