產(chǎn)品信息：

1、產(chǎn)品型號及名稱：IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀

2、產(chǎn)品測試電流電壓為1600A,±5000V,向下兼容

3、VGE可達±100V；開啟電壓VGETH支持兩種測試方法；

4、采用插槽式設計結構，便于升級和維護；

5、設備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測試，晶閘管測試，

6、自動進行分檔測試，既覆蓋大功率特征下的測試范圍，又可保證小功率器件測試精度

7、支持單點測試，I-V曲線掃描，還具有曲線對比功能；

8、測試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件，WORD報告

9、安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護等多重保護措施，確保操作人員、設備、數(shù)據(jù)及樣品安全。

測試參數(shù)：

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向導通壓降

整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用

基礎能力：

1) 測試電壓范圍：0-±5000V

2) 測試電流范圍：0-±1600A

3) 測試柵極電壓范圍：0-±100V

4) 電壓分辨率：0.1mV

5) 電流分辨率：0.1nA

測試種類及參數(shù)：

（1）Diode（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

靜態(tài)參數(shù)：BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降；

（2）MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

靜態(tài)參數(shù)：BVDSS/漏源極擊穿電壓，VGS(th)/柵極開啟電壓，IDSS 漏源極漏電流、VF/二極管正向壓降；Rdson 內(nèi)阻

（3）IGBT單管及模塊（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

靜態(tài)參數(shù)：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降；VCESAT/飽和壓降，IGESR,IGESF 柵極漏電流