核心技術參數(shù)
- 溫區(qū)數(shù)量:3–4段獨立溫控
- 工作溫度:1250℃
- 極限真空度:≤1×10?3Pa
- 控溫精度:±1℃
- 加熱元件:硅碳棒/鉬絲可選
- 適配原料:金屬鎘、升hua硫氣相合成CdS多晶
- 爐腔材質(zhì):高純石英反應管
核心應用領域
1. 光伏產(chǎn)業(yè):碲化鎘薄膜電池緩沖層CdS靶材原料
2. 光電探測:可見光/紫外光電探測器、光敏電阻基底材料
3. 催化材料:可見光光催化、納米硫化鎘粉體前驅(qū)體制備
4. 光學器件:紅外窗口、熒光發(fā)光晶體、量子點原材料
5. 科研院所:Ⅱ-Ⅵ族半導體材料氣相合成、新材料實驗研發(fā)




































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