LEEG單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器,單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部,遠離介 質(zhì)接觸面,實現(xiàn)機械隔離和熱隔離,玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強度電氣絕緣,提 高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力,可應對復雜的化學場合和機械負荷,同時具備 較強的抗電磁干擾能力,適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力測量應用。
優(yōu)勢
單晶硅技術(shù)壓力傳感器
集成電路與表面封裝技術(shù)的信號變送模塊
顯示模塊可355°旋轉(zhuǎn)
殼體外隔離磁感應三按鍵參數(shù)設置
耐瞬變電壓保護端子模塊
特征
測量范圍: 10kPa-10MPa
輸出信號: 4-20mA, 4-20mA+HART、Modbus-RTU/RS485
參考精度: ±0.2%,±0.15% URL
電源: 4~20mA 二線制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二線制, 16.5-55vdc
過程連接: M20*1.5(M), G1/2(M), G1/4(M), 1/2-14NPT(M)
測理介質(zhì): 液體、氣體、蒸汽
應用
過程控制系統(tǒng)
石油工業(yè)
化工行業(yè)































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