功率 MOSFET/IGBT 模塊高低溫低氣壓試驗箱

性能
設備集成溫度、氣壓復合環(huán)境模擬能力,溫度波動度≤±0.5℃,溫度升降速率可控,低氣壓區(qū)間調節(jié)精準??蓮同F(xiàn)高空環(huán)境下溫壓耦合工況,針對功率 MOSFET、IGBT 模塊,檢驗器件在溫壓環(huán)境下電氣穩(wěn)定性,抑制試驗環(huán)境擾動帶來的數(shù)據(jù)偏差,試驗結果重復性好,適配研發(fā)摸底與型式檢驗。
系統(tǒng)
采用獨立溫壓調控系統(tǒng),溫度回路與氣壓回路互不干擾,具備壓力保護、超溫防護多重安全聯(lián)鎖??刂葡到y(tǒng)操作簡潔,可編輯多段程序運行,支持程序存儲調用;箱體密封結構可靠,減少泄壓漏氣問題,運行過程狀態(tài)實時監(jiān)控,異常自動告警停機,保障功率半導體樣品與設備本體運行安全。
技術參數(shù)
溫度范圍可實現(xiàn)高低溫區(qū)間切換,溫度波動度≤±0.5℃;低氣壓可模擬對應高空海拔壓力環(huán)境,壓力控制精度高;工作室尺寸可支持標準 IGBT、MOSFET 模塊放置,可按需做非標擴容;配置觀測視窗、樣品接線端口,方便器件通電帶載測試;整機符合半導體功率器件環(huán)境試驗相關標準規(guī)范。

功率 MOSFET/IGBT 模塊高低溫低氣壓試驗箱











































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