Apreo

功能豐富的高性能 SEM

Apreo 復(fù)合透鏡結(jié)合了靜電和磁浸沒(méi)技術(shù)，可產(chǎn)生的高分辨率和材料對(duì)比度。

Apreo 是研究納米顆粒、催化劑、粉末和納米器件的理想平臺(tái)，而不會(huì)降低磁性樣品性能。傳統(tǒng)的高分辨率 SEM 透鏡技術(shù)分為兩類：磁浸沒(méi)或靜電。FEI 將兩種技術(shù)結(jié)合到一個(gè)儀器中。這樣做所產(chǎn)生的成效遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)任一種鏡筒的個(gè)體性能。兩種技術(shù)均使電子束形成細(xì)小探針，以提高低電壓下的分辨率，并使信號(hào)電子進(jìn)入鏡筒。通過(guò)將磁透鏡和靜電透鏡組合成一個(gè)復(fù)合透鏡，不但提高了分辨率，還增加了的信號(hào)過(guò)濾選項(xiàng)。靜電-磁復(fù)合末級(jí)透鏡在 1 kV 電壓下的分辨率為 1.0 nm（無(wú)電子束減速或單色器）。

Apreo 擁有透鏡內(nèi)背散射探測(cè)器 T1，其位置緊靠樣品以便盡可能多地收集信號(hào)，從而確保在很短的時(shí)間內(nèi)采集數(shù)據(jù)。與其他背散射探測(cè)器不同，這種快速的探測(cè)器始終可保證良好的材料對(duì)比度，在導(dǎo)航時(shí)、傾斜時(shí)或工作距離很短時(shí)也不例外。在敏感樣品上，探測(cè)器的價(jià)值凸現(xiàn)出來(lái)，即使電流低至幾 pA，它也能提供清晰的背散射圖像。復(fù)合末級(jí)透鏡通過(guò)能量過(guò)濾實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的材料對(duì)比度以及絕緣樣品的無(wú)電荷成像，進(jìn)一步延伸了 T1 BSE 探測(cè)器的潛在價(jià)值。它還提供了流行選項(xiàng)來(lái)補(bǔ)充其探測(cè)能力，例如定向背散射探測(cè)器(DBS)、STEM 3+ 和低真空氣體分析探測(cè)器 (GAD)。所有這些探測(cè)器都擁有無(wú)二的軟件控制分割功能，以便根據(jù)需求選擇價(jià)值的樣品信息。

每個(gè) Apreo 都按標(biāo)準(zhǔn)配備各種用以處理絕緣樣品的策略，包括：高真空技術(shù)，例如 SmartSCAN™、漂移補(bǔ)償幀積分(DCFI) 和電荷過(guò)濾。對(duì)于挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，Apreo 可提供電荷緩解策略。其中包括可選的低真空（為 500 Pa）策略，通過(guò)經(jīng)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的穿鏡式差分抽氣機(jī)構(gòu)和專用低真空探測(cè)器，不但可以緩解任何樣品上的電荷，還能提供的分辨率和較大的分析電流。

隨著分析技術(shù)的使用越來(lái)越常規(guī)化，Apreo 倉(cāng)室經(jīng)過(guò)全新設(shè)計(jì)，以便更好地支持不同的配件和實(shí)驗(yàn)。倉(cāng)室最多容納三個(gè) EDS/WDS 端口，可實(shí)現(xiàn)快速敏感的 X 射線測(cè)量、共面EDS/EBSD/TKD 排列并與（冷凍）CL、拉曼、EBIC 和其他技術(shù)兼容。

所有這些功能都能通過(guò)簡(jiǎn)單的樣品處理和熟悉的 xT UI 獲得，節(jié)省了新用戶和專家級(jí)用戶的時(shí)間。可自定義的用戶界面提供了諸多用戶指導(dǎo)、自動(dòng)化和遠(yuǎn)程操作選項(xiàng)。

1、分辨率：二次電子（SE）像

15 kV時(shí)優(yōu)于1 nm，1 k V時(shí)優(yōu)于1.3 nm（非減速模式）

著陸電壓：20V ～ 30 kV

電子束流：1pA ～ 400 nA，連續(xù)可調(diào)

2、樣品室和樣品臺(tái)

樣品室左右內(nèi)徑不小于340mm，容納200mm

樣品臺(tái)：五軸馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，移動(dòng)范圍：

X≥ 110mm，Y≥ 110mm，Z≥ 65mm，T≥ -15～+90°，R= 360°連續(xù)旋轉(zhuǎn)

3、探測(cè)器：

二次電子探頭

普通二次電子檢測(cè)器;

極靴內(nèi)高位二次電子探測(cè)器