一、可開設(shè)的實驗
1、學(xué)習(xí)霍爾效應(yīng)原理，測繪霍爾元件的VH—Is，VH—IM曲線，了解霍爾電勢差VH與霍爾元件工作電流Is，磁場應(yīng)強(qiáng)度B及勵磁電流和IM之間的關(guān)系；
2、學(xué)習(xí)用“對稱交換測量法”消除負(fù)效應(yīng)產(chǎn)生的系統(tǒng)誤差；
3、測量單個通電圓線圈軸線上（X方向）各點的磁感應(yīng)強(qiáng)度；
4、測量亥姆霍茲線圈軸線上各點的磁感應(yīng)強(qiáng)度；比較和驗證磁場疊加的原理
5、測量兩個通電圓線圈不同間距時的線圈軸線上各點的磁感應(yīng)強(qiáng)度；
6、測量亥姆霍茲線圈Y方向上B的分布；
7、測量亥姆霍茲線圈Ｚ方向上B的分布；
8、測量通電線圈任意位置的B值。
二、主要技術(shù)參數(shù)
1、勵磁電流IM輸出范圍：直流0～0.500A，3位半數(shù)字表測量，調(diào)節(jié)細(xì)度：1mA，負(fù)載電阻范圍：0～40Ω；
2、霍爾片工作電流IS輸出范圍：直流0～5.00mA，3位半數(shù)字表測量，調(diào)節(jié)細(xì)度：10μA，負(fù)載電阻范圍：0～1KΩ；
3、霍爾電壓VH輸入測量范圍：直流±0～19.99mV，3位半數(shù)字表測量，分辨力10μV。
4、亥姆霍茲線圈
　線圈等效半徑：100mm，二線圈中心間距：50～200mm連續(xù)可調(diào)；
　線圈匝數(shù)：500匝（單個），線圈電阻：約15Ω；
5、霍爾元件
　砷化鎵霍爾元件，四端引出，靈敏度>140mV/（mA·T） ；
霍爾片的厚度的d為0.2mm，寬度 為1.5mm，長度L為2.5mm；
6、三維可移動裝置：X向移動距離±200mm，Y向移動距離±80mm，Z向移動距離±80mm。