一、半導體激光光譜吸收技術(shù)基本原理

半導體激光光譜吸收技術(shù)（diode laser absorption spectroscopy,DLAS）zui早于20世紀70年代提出。初期的DLAS技術(shù)只是一種實驗室研究用技術(shù)，隨著半導體激光技術(shù)在20世紀80年代的迅速發(fā)展，DLAS技術(shù)開始被推廣應用于大氣研究、環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)療診斷和航空航天等領(lǐng)域。特別是20世紀90年代以來，基于DLAS技術(shù)的現(xiàn)場在線分析儀表已逐漸發(fā)展成為熟，與非色散紅外、電化學、色譜等傳統(tǒng)工業(yè)過程分析儀表相比，具有可以實現(xiàn)現(xiàn)場原位測量、無需采樣和預處理系統(tǒng)、測量準確、響應迅速、維護工作量小等顯著優(yōu)勢，在工業(yè)過程分析和污染源監(jiān)測領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。

1.朗伯-比爾定律

     DLAS技術(shù)本質(zhì)上是一種光譜吸收技術(shù)，通過分析激光被氣體的選擇性吸收來獲得氣體的濃度。它與傳統(tǒng)紅外光譜吸收技術(shù)的不同之處在于，半導體激光光譜寬度遠小于氣體吸收譜線的展寬。因此，DLAS技術(shù)是一種高分辨率的光譜吸收技術(shù)，半導體激光穿過被測氣體的光強衰減可用朗伯-比爾（Lambert-Beer）定律表述

 式中，I_V,₀ 和I_V 分別表示頻率V的激光入射時和經(jīng)過壓力P，濃度X和光程L的氣體后的光強；S（T）表示氣體吸收譜線的強度；線性函數(shù)g（v-v₀）表征該吸收譜線的形狀。通常情況下氣體的吸收較小，可用式（4-2）來近似表達氣體的吸收。這些關(guān)系式表明氣體濃度越高，對光的衰減也越大。因此，可通過測量氣體對激光的衰減來測量氣體的濃度。

2.光譜線的線強

氣體分子的吸收總是和分子內(nèi)部從低能態(tài)到高能態(tài)的能級躍遷相的。線強S（T）反映了躍遷過程中受激吸收、受激輻射和自發(fā)輻射之間強度的凈效果，是吸收光譜譜線zui基本的屬性，由能級間躍遷概率經(jīng)及處于上下能級的分子數(shù)目決定。分子在不同能級之間的分布受溫度的影響，因此光譜線的線強也與溫度相關(guān)。如果知道參考線強S（T₀），其他溫度下的線強可以由下式求出

 式中，Q（T）為分子的配分函數(shù)；h為普朗克常數(shù)；c為光速；k為波爾茲曼常數(shù)；Eⁿ

為下能級能量。各種氣體的吸收譜線的線強S（T₀）可以查閱相關(guān)的光譜數(shù)據(jù)庫。

二、測量技術(shù)和特點

1.調(diào)制光譜檢測技術(shù)

      調(diào)制光譜檢測技術(shù)是一種被zui廣泛應用的可以獲得較高檢測靈敏度的DLAS技術(shù)。它通過快速調(diào)制激光頻率使其掃過被測氣體吸收譜線的定頻率范圍，然后采用相敏檢測技術(shù)測量被氣體吸收后透射譜線中的諧波分量來分析氣體的吸收情況。調(diào)制類方案有外調(diào)制和內(nèi)調(diào)制兩種，外調(diào)制方案通過在半導體激光器外使用電光調(diào)制器等來實現(xiàn)激光頻率的調(diào)制，內(nèi)調(diào)制方案則通過直接改變半導體激光器的注入工作電流來實現(xiàn)激光頻率的調(diào)制。由于使用的方便性，內(nèi)調(diào)制方案得到更為廣泛的應用，下面簡單描述其測量原理。

在激光頻率 掃描過氣體吸收譜線的同時，以一較高頻率正弦調(diào)制激光工作電流來調(diào)制激光頻率，瞬時激光頻率 可表示為

  式中， （t）表示激光頻率的低頻掃描；a是正弦調(diào)制產(chǎn)生的頻率變化幅度；w為正弦調(diào)制頻率。透射光強可以被表達為下述Fourier級數(shù)的形式。

 令 等于 ，則可按下式獲得n階Fourier諧波分量

 諧波分量 可以使用相敏探測器（PSD）來檢測。調(diào)制光譜技術(shù)通過高頻調(diào)制來顯著降低激光光器噪聲（1/f噪聲）對測量的影響，同時可以通過給PSD設(shè)置較大的時間常數(shù)來獲得很窄帶寬的帶通濾波器，從而有效壓縮噪聲帶寬。因此，調(diào)制光譜技術(shù)可以獲得較好的檢測靈敏度。

3.技術(shù)特點和優(yōu)勢

（1）不受背景氣體的影響

   傳統(tǒng)非色散紅外光譜吸收技術(shù)采用的光源譜帶很寬，其譜寬范圍內(nèi)除了被測氣體的吸收譜線外，還有很多基他背景氣體的吸收譜線。因此，光原發(fā)出的光除了被待測氣體的多條吸收譜線吸收外還被一些背景氣體的吸收譜線吸收，從而導致測量的不準確性。

   而半導體激光吸收光譜技術(shù)中使用的半導體激光的譜寬小于0.0001nm，為上述紅外光源譜寬的1/106，遠小于被測氣體一條吸收譜線的譜寬。DLAS氣體濃度分析儀首先選擇被測氣體位于待定頻率的某一吸收譜線，通過調(diào)制激光器的工作電流使激光波長掃描過該吸收譜線，從而獲得如圖3所示的“單線吸收光譜”數(shù)據(jù)。

   在選擇該吸收譜線時，就保證在所選吸收譜線頻率附近約10倍譜線寬度范圍內(nèi)無測量環(huán)境中背景氣體組分的吸收譜線，從而避免這些背景氣體組分對被測氣體的交叉吸收干擾，保證測量的準確性（例如圖3中位于6408cm^-1  頻率處的CO吸收譜線附近無H₂O吸收譜線，從而測理環(huán)境中水分不會對CO的測量產(chǎn)生干擾）。 

（2）不受粉塵與視窗污染的影響

    氣體的濃度由透射光強的二次諧波信號與直流信號的比值來決定。當激光傳輸光路中的粉塵或視窗污染產(chǎn)生光強衰減時，兩信號會等比例下降，從而保持比值不變。因此過程氣體中的粉塵和視窗污染對于儀器的測量結(jié)果沒有影響。實驗結(jié)果表明即使粉塵和視窗污染導致光透過率下降到1%，儀器示值誤差仍不超過3%。

（3）自動修正溫度，壓力對測量的影響

     一些工業(yè)過程氣體可能存在幾百攝氏度的溫度變化和幾個大氣壓的壓力變化。氣體溫度和壓力的變化會導致二次諧波信號波形的幅值與形狀發(fā)生相應的變化，從而影響測量的準確性。

   為了解決這個問題，DLAS技術(shù)中可增加溫度、壓力補償算法，只要將外部傳感器測得的氣體溫度，壓力信號輸入補償算法中，DLAS氣體濃度分析儀就能自動修正溫度、壓力變化對氣體濃度測量的影響，保證了測量的準確性。

Analy2100激光氣體在線分析儀用來進行連續(xù)工業(yè)過程和氣體排放測量,適合于惡劣工業(yè)環(huán)境應用，如鋼鐵各種燃爐、鋁業(yè)和有色金屬、化工、石化、水泥、發(fā)電和垃圾焚燒等。

特 征

高分辨率（激光掃描頻率是傳統(tǒng)激光分析儀的幾倍）

模塊化設(shè)計，可現(xiàn)場模塊化替換，快速維護和維修

高光穿透能力，適合于高粉塵阻擋環(huán)境應用

性航空動力學原理插入管，適合于特高粉塵阻擋環(huán)境應用

無交叉干擾

無需采樣，現(xiàn)場在線直接測量

快速測量（響應時間可低于1秒）

結(jié)構(gòu)緊湊、堅固耐用

                                                    銷售：