一、YB6600晶體管圖示儀特點
1.  曲線基于計算機顯示
2.  多種器件的多種曲線
3.  數(shù)據(jù)點是可控的
4.  增量可以是線性或對數(shù)
5.  可控的關斷時間，以減小器件發(fā)熱
6.  可保存和調用曲線程序
7.  保存和調用先前捕獲的曲線圖片
8.  *自動存儲數(shù)據(jù)到excel
9.  預置zui大電壓和zui大電流限制防止器件損壞和發(fā)熱
10. 存儲/調用測試程序
11. 多樣的連續(xù)曲線
12. 在測試程序中的電流限制
13. 使用方便
①選擇曲線  ②輸入范圍  ③按下啟動
14. 使用高速ATE系統(tǒng)生成曲線
二、YB6600晶體管圖示儀系統(tǒng)指標
a-k 極間加壓范圍:                   ±2.500mV—2000V 
a-k 極間測流范圍:                   ±100pA--49.90A     
a-k 極間加流范圍:                   ±100na--49.90A  
a-k 極間測壓范圍:                   ±2.500mV—2000V
g-k 極間加壓范圍:                   ±2.500mV—20V
g-k 極間測流范圍:                   ±100pA—10A       
g-k 極間加流范圍:                   ±100nA—10A    
g-k 極間測壓范圍:                   ±2.500mV—20V
a-k 極間加/測壓精度:              1%+10mV
a-k 極間加/測流精度:              1%+10nA+20pA/V
g-k 極間加/測壓精度:             1%+5mV
g-k 極間加/測流精度:              1%+10nA+20pA/V
電參數(shù)測試重復性：                  2%
zui大電壓分辨率:                      1mV
zui大電流分辨率:                      0.1nA
三、YB6600可實現(xiàn)曲線（13類器件32種曲線）
1、mosfet（n-channel＆p- channel）（金屬-氧化物-半導體 場效應管）
id vs vds (在vgs范圍內)
id vs vgs (在一個固定的id)
is vs vsd
rds vs vgs (在一個固定的vds)
rds vs id (在vgs范圍內)
2、晶體管（transisitor）
hfe vs ic
bvce(o.s.r.v) vs ic
bvebo vs ie
bvcbo vs ic
vce(sat）(在一定的ic/ib比率)
vce(sat) vs ib（在ic的范圍內）
vbe(sat) vs ib (在一定的ic/ib比率)
vbe(on) vs ic (在一定的vce)
3、igbt（n-channel＆p- channel）（絕緣柵雙極晶體管）
ic vs vce (在vge范圍內)
ic vs vge (在一定的vce)
ices vs vce
if vs vf
4、diode (二極管)
if vs vf
ir vs vr
5、zener (穩(wěn)壓管)
if vs vf
ir vs vr
6、triac (雙向可控硅)
it vs vt(+/-)  (在一個固定的ig)
7、scr (單項可控硅)
it vs vtm (在一個固定的ig)
8、ssvop（固態(tài)過壓保護器）
it vs vt(+/-)  (在一個固定的ibo)
9、sidac（高壓觸發(fā)二極管）
it vs vt(+/-)  (在一個固定的ibo)
10、diac(雙向觸發(fā)二極管)
id vs vf(+/-)
11、regulator(穩(wěn)壓器)
electronic load vs v out(在一個固定zui大電流)
12、j-fet(（n-channel＆p- channel）) (結型場效應管)
id(off) vs vds(在vgs范圍內)
id(off) vs vgs（在一個固定的vds）
id(on) vs vds(在vgs范圍內)
id(on) vs vgs（在一個固定的vds）
13、curve tracer mode only(曲線跟蹤模式)
ic vs vce（在一個固定的ib）