產(chǎn)品特點：

  測量范圍0～20kPa…700kPa

  MEMS 技術(shù)

  表壓形式

  SOP 或 DIP 封裝形式

  適用于無腐蝕性的氣體或液體

  工作溫度范圍: -40℃～+125℃

  芯片背壓腔受壓

  管腳方向可選擇

應(yīng)用領(lǐng)域：

  *、*、制氧設(shè)備、酒精測試儀等醫(yī)療領(lǐng)域

  胎壓計、MAP傳感器等汽車電子領(lǐng)域

  環(huán)境監(jiān)測、液位測量、運動健身器材等領(lǐng)域

產(chǎn)品概述：

  GZP型壓阻式壓力敏感元件是一款適用于生物醫(yī)學(xué)、汽車電子等領(lǐng)域的壓力傳感器，其核心部分是一顆利用MEMS技術(shù)加工的硅壓阻式壓力敏感芯片。該壓力敏感芯片由一個彈性膜及集成在膜上的四個電阻組成，四個壓敏電阻形成了惠斯通電橋結(jié)構(gòu)，當(dāng)有壓力作用在彈性膜上時電橋會產(chǎn)生一個與所加壓力成線性比例關(guān)系的電壓輸出信號。

  GZP型壓力敏感元件為采用標準的SOP6和DIP6形式封裝的OEM元件，方便用戶采用表面貼裝或雙列直插式進行安裝

  良好的線性、重復(fù)性和穩(wěn)定性，靈敏度高，方便用戶采用運放或集成電路針對輸出和溫漂進行調(diào)試和補償。

  當(dāng)測試介質(zhì)為導(dǎo)電液體時，介質(zhì)不可接地。

結(jié)構(gòu)性能：

  壓力敏感芯片：硅材料

  引線：金線

  封裝外殼：LCP液晶料

  引腳：銅鍍銀

  凈重量：約1克

電氣性能：

  供電電源：≤10V DC 或 ≤2.0mA DC

  輸入阻抗：4kΩ～6kΩ

  輸出阻抗：4kΩ～6kΩ

  絕緣電阻：100MΩ,100VDC

  允許過載：

  0～20kPa…200kPa:2倍滿量程

  700kPa：1.5倍滿量程

基準條件：

  測量介質(zhì)： 空氣

  介質(zhì)溫度：（25±1）℃

  環(huán)境溫度：（25±1）℃

  振      動： 0.1g(1m/s²)Max

  濕      度：（50%±10%）RH

  電      源：（5±0.005）V DC

基本參數(shù)：

外形結(jié)構(gòu)：

DIP封裝形式管腳方向選擇：

等效電路圖：

沿引腳方向

選型指南：