概 述
模擬型熱電阻的作用原理是利用物質(zhì)在溫度變化時本身電阻值也隨著發(fā)生變化的特
性來測量溫度的,熱電阻的受熱部分(感溫元件)是細(xì)金屬絲均勻地雙繞在(或?qū)⒔饘贋R射到)
絕緣材料制作的骨架(基片)上。當(dāng)被測介質(zhì)有溫度梯度存在時,則所測得的是感溫元件所在范
圍內(nèi)介質(zhì)層中的平均溫度。
模擬型熱電阻在目前發(fā)現(xiàn)的金屬中,鉑和銅是制造熱電阻較為合適的材料。因?yàn)榻饘巽K的提純及加工工藝
日益成熟,在氧化介質(zhì)中又具有*穩(wěn)定性和良好的復(fù)現(xiàn)性,而成為制造熱電阻的材料;
純銅易加工且價格低廉,所以也被選用作為制造熱電阻測量低溫區(qū)的材料。
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品名稱 | 分度號 | R及允差 | 測量范圍 | 自熱影響 | 允許工作電源 | 絕緣電阻 |
鉑熱電阻 | PT100 | 1級 100±0.06Ω ±(0.15+0.002t) 2級 100±0.12Ω ±(0.3+0.005t) | 陶瓷元件:-200~+600℃ 薄膜元件:-200~+400℃ | ≤0.3℃ | ≤5mA | ≥100MΩ |
銅熱電阻 | Cu50 | 50±0.05Ω ±(0.3+0.006t) | -50~150℃ | ≤0.4℃ | ≤5mA | ≥20MΩ |





























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