【儀表網(wǎng) 儀表標(biāo)準(zhǔn)】由中關(guān)村光電產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)歸口的《MEMS高深寬比結(jié)構(gòu)深度測(cè)量方法 光譜反射法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見(jiàn)稿。根據(jù)《中光村光電產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)管理辦法》，為保證標(biāo)準(zhǔn)的科學(xué)性、嚴(yán)謹(jǐn)性和適用性，現(xiàn)公開(kāi)征求意見(jiàn)，歡迎社會(huì)各界對(duì)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容提出修改意見(jiàn)和建議。
 

　　本文件按照GB/T 1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則 第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了MEMS高深寬比結(jié)構(gòu)深度光譜反射測(cè)量的測(cè)量原理、測(cè)量設(shè)備、測(cè)量要求、測(cè)量方法、測(cè)量結(jié)果的不確定度評(píng)定、合成相對(duì)不確定度評(píng)定、擴(kuò)展相對(duì)不確定度評(píng)定以及測(cè)試報(bào)告等內(nèi)容。
 

　　本標(biāo)準(zhǔn)適用于多種半導(dǎo)體材料上 MEMS 高深寬比刻蝕結(jié)構(gòu)的深度測(cè)量?？涛g結(jié)構(gòu)包括但不限于單獨(dú)和陣列的溝槽、柱和孔等。
 

　　測(cè)量原理：
 

　　光譜反射法測(cè)量結(jié)構(gòu)深度的機(jī)原理是基于反射干涉光譜模型，法向入射的寬光譜光束由高深寬比結(jié)構(gòu)的上表面和底部反射并發(fā)生干涉，在半導(dǎo)體基材料折射系數(shù)和標(biāo)稱深度一定的條件下，深度是通過(guò)所測(cè)得的光學(xué)厚度得到的。該方法的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)底部的反射光強(qiáng)不影響深度解算值，單次對(duì)準(zhǔn)即可得到高深寬比結(jié)構(gòu)的深度值。
 

　　測(cè)量設(shè)備：
 

　　光譜反射高深寬比結(jié)構(gòu)深度測(cè)量系統(tǒng)包括寬光譜光源、LED光源、相機(jī)、光譜儀、顯微物鏡、分光棱鏡、準(zhǔn)直鏡等。寬光譜光源和光學(xué)元件、光譜儀配合，獲取樣品的反射光譜。LED光源經(jīng)由光學(xué)元件在樣品表面形成大視場(chǎng)照明。系統(tǒng)軟件用于將深度測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量信息進(jìn)行數(shù)據(jù)處理與結(jié)果顯示。
 

　　測(cè)量環(huán)境要求：
 

　　除非另有規(guī)定，測(cè)量環(huán)境條件應(yīng)滿足以下要求：環(huán)境溫度：15℃～35℃；環(huán)境濕度：20%～80%；環(huán)境光照：室內(nèi)照明環(huán)境，避免外界強(qiáng)太陽(yáng)光照干擾；振動(dòng)與干擾：無(wú)影響測(cè)量結(jié)果的光噪聲，明顯氣流、電磁輻射和機(jī)械振動(dòng)。
 

　　測(cè)量方法：
 

　　寬光譜光源由光纖端口耦合進(jìn)入光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)，依次通過(guò)準(zhǔn)直鏡、筒鏡和物鏡形成微光斑，用于單體和陣列溝槽的深度測(cè)量，反射光譜由光譜儀采集。LED光源和透鏡、物鏡構(gòu)成科勒照明形式，既實(shí)現(xiàn)大視場(chǎng)樣品照明，又用于過(guò)焦掃描顯微成像對(duì)于高深寬比結(jié)構(gòu)線寬測(cè)量。樣品的反射光譜和圖像數(shù)據(jù)傳輸給傳送給計(jì)算機(jī)測(cè)量系統(tǒng)軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
 

　　測(cè)量步驟：
 

　　1.光學(xué)系統(tǒng)光強(qiáng)度校正：將已知反射率的標(biāo)樣安裝在樣品臺(tái)上，利用相機(jī)觀察圖像調(diào)焦至清晰位置；測(cè)量反射光譜強(qiáng)度，用于計(jì)算深度測(cè)量系統(tǒng)的入射光強(qiáng)度譜。通常測(cè)量10次，取平均值。
 

　　2.深度測(cè)量：將被測(cè)MEMS高深寬比結(jié)構(gòu)樣品安裝在樣品臺(tái)上，利用相機(jī)圖像調(diào)焦至清晰位置，光譜儀曝光設(shè)置為3秒，測(cè)量樣品的反射光強(qiáng)度譜。由深度測(cè)量軟件系統(tǒng)根據(jù)系統(tǒng)入射光強(qiáng)度譜和樣品反射光強(qiáng)度譜，利用干涉光譜分析原理計(jì)算并顯示樣品的深度值。通常測(cè)量10次，取平均值。
 

　　測(cè)試報(bào)告：
 

　　報(bào)告包含但不限于以下信息：a)測(cè)量環(huán)境。b)被測(cè)樣品：樣品名稱、來(lái)源。c)儀器設(shè)備名稱和型號(hào)。d)檢測(cè)結(jié)果。e)其他信息：1)使用方法標(biāo)準(zhǔn)的版本號(hào)；2)檢測(cè)日期；3)檢測(cè)單位計(jì)檢測(cè)人等。（更多詳情請(qǐng)見(jiàn)附件）