深圳市星際金華實(shí)業(yè)有限公司
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號STF22NM60N
品 牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地深圳市
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更新時(shí)間:2018-12-13 14:18:11瀏覽次數(shù):823次
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| 產(chǎn)地 | 進(jìn)口 | 加工定制 | 否 |
|---|
星際金華熱賣*STF22NM60N N溝道場效應(yīng)晶體管:這些設(shè)備使用第二代MDmesh™技術(shù)制造。這一革命性的功率MOSFET將新的垂直結(jié)構(gòu)與公司的帶狀布局相結(jié)合,從而產(chǎn)生世界上低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷之一。因此,它適用于要求較苛刻的高效轉(zhuǎn)換器。
星際金華熱賣*STF22NM60N N溝道場效應(yīng)晶體管 進(jìn)口* 量大價(jià)優(yōu) 質(zhì)量有保證
深圳市星際金華*STF22NM60N N溝道場效應(yīng)晶體管 原廠直銷 貨源充足 現(xiàn)貨出售可提供樣品
說明:這些設(shè)備使用第二代MDmesh™技術(shù)制造。這一革命性的功率MOSFET將新的垂直結(jié)構(gòu)與公司的帶狀布局相結(jié)合,從而產(chǎn)生世界上低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷之一。因此,它適用于要求苛刻的高效轉(zhuǎn)換器。
主要特點(diǎn)
100%雪崩測試
低輸入電容和柵極電荷
低柵極輸入電阻
規(guī)格參數(shù)值
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 16A(Tc)
驅(qū)動電壓(大 Rds On,小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(大值) 220 毫歐 @ 8A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(大值) 4V @ 100µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(大值) 44nC @ 10V
Vgs(大值) ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(大值) 1300pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 30W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220FP
封裝/外殼 TO-220-3 整包
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