深圳市星際金華實(shí)業(yè)有限公司
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)NTS2101PT1G
品 牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地深圳市
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更新時(shí)間:2019-07-11 15:18:28瀏覽次數(shù):2846次
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| 產(chǎn)地 | 進(jìn)口 | 加工定制 | 否 |
|---|
星際金華大量*現(xiàn)貨出售安森美NTS2101PT1G P溝道金屬氧化物場效應(yīng)晶體管,用于低R DS(on)的*溝槽技術(shù)延長電池壽命。
星際金華大量*現(xiàn)貨出售安森美NTS2101PT1G P溝道金屬氧化物場效應(yīng)晶體管 價(jià)優(yōu)物原 全新*現(xiàn)貨 貨源充足
星際金華熱賣NTS2101PT1G P溝道金屬氧化物場效應(yīng)晶體管 質(zhì)量可保證 實(shí)單可議價(jià) 也可上門看貨
特征
用于低R DS(on)的*溝槽技術(shù)延長電池壽命
-1.8 V額定低壓柵極驅(qū)動(dòng)• SC-70表面貼裝,適用于小尺寸(2 x 2 mm)
可提供無鉛封裝
規(guī)格
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 1.4A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(大 Rds On,小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(大值) 100 毫歐 @ 1A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(大值) 700mV @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(大值) 6.4nC @ 5V
Vgs(大值) ±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(大值) 640pF @ 8V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 290mW(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SC-70-3(SOT323)
封裝/外殼 SC-70,SOT-323
應(yīng)用
高側(cè)負(fù)載開關(guān)
充電電路
單細(xì)胞電池應(yīng)用,如手機(jī),數(shù)碼相機(jī),PDA等
我們將竭誠為你服務(wù)!?。?/p>
您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
商 鋪:深圳市星際金華實(shí)業(yè)有限公司 http://m.liuyangwu.com/st101416/
主營產(chǎn)品:電子元器件,集成電路IC,連接器,存儲(chǔ)器,單片機(jī),穩(wěn)壓器等等
移動(dòng)端:深圳市星際金華實(shí)業(yè)有限公司手機(jī)站
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