3F/PIC快速反應質(zhì)譜儀

3F/IDP 離子脫附分析質(zhì)譜儀

PIC是帶脈沖離子計數(shù)檢測器的3F質(zhì)譜儀，具有高靈敏度，

Hiden  IDP是三級過濾質(zhì)譜/能量分析儀，用于研究ESD、PSD

快速測量的特點。

或UHV-TPD中釋放的低能量粒子。是電子、光子激發(fā)脫附

● UHV TPD

研究中，進行離子、中性粒子、自由基的質(zhì)量、能量

三級過濾四極質(zhì)譜儀

● 表面科學，單晶格研究

● 釋出組分的快速質(zhì)量、能量監(jiān)測

● 分子束研究

● 光致解吸研究

● 選通輸入分析，進行瞬時/TOF 研究

特點：三級過濾四極質(zhì)譜儀

● 用表觀勢能譜，分析母體和自由基

● 質(zhì)量數(shù)：1～2500amu

● ESD和PAS閾值,離子能量分布

● 脈沖離子計數(shù)器

● 正、負離子譜，鍵角信息

● 增強的抗污染能力

● 泄漏探測/ 實際泄漏分析/脫附研究

● 測量速度：500點/秒

● 4透鏡離子光學系統(tǒng)/電子轟擊離子源

● 動態(tài)范圍：10^-7

● 信號選通1μs分辨率

3F/EPIC質(zhì)譜儀

IMP刻蝕終點檢測儀

EPIC是帶脈沖離子計數(shù)、四極桿偏壓（Pulse Ion Counting and

IMP是自帶差式泵，簡潔的二次離子質(zhì)譜儀，適于分析離

Pole Bias Control）控制的3F質(zhì)譜儀，用于高精密科學分析、

子刻蝕過程中的二次離子和中子。是專業(yè)檢測刻蝕終點的

過程研究以及中性粒子、自由基、離子的UHV分析。

儀器，用于離子刻蝕控制以及優(yōu)化工藝質(zhì)量。

● 中性粒子、自由基，正、負離子

● 終點分析

● 電子附著研究

● 靶污染檢測

● 表面科學

● 質(zhì)量控制/SPC

● 分子束研究

● 殘余氣體分析

● UHV TPD

特點：

特點：

● 高靈敏度的 SIMS/MS，帶脈沖離子計數(shù)檢測器

● 質(zhì)量數(shù)范圍可選至2500amu

● 三級過四極質(zhì)譜儀，標準配置為300amu

● 離子能量分布掃描±100eV（1000eV可選）

● 離子光學器件，帶能量分析器和完整的離子源

● 當分析能量（或質(zhì)量）分布變化與時間的關(guān)系，或進行

● 真空規(guī)提供過壓保護

TOF研究時，信號選通分辨率為1µs

● 穩(wěn)定性好：超過24h，峰高變化小于±0.5%

● 可升級至等離子體分析或SIMS分析儀