詳細(xì)摘要: 上海伯東美國(guó) HVA 長(zhǎng)壽命嚴(yán)厲過(guò)程真空閘閥 71000 系列是專(zhuān)為的真空環(huán)境而設(shè)計(jì). 真空閘閥 71000 系列由堅(jiān)固的不繡鋼剛坯在 1100C, 1x10-...
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詳細(xì)摘要: 上海伯東美國(guó) HVA 長(zhǎng)壽命嚴(yán)厲過(guò)程真空閘閥 71000 系列是專(zhuān)為的真空環(huán)境而設(shè)計(jì). 真空閘閥 71000 系列由堅(jiān)固的不繡鋼剛坯在 1100C, 1x10-...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2025-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 美國(guó) HVA 真空閘閥 真空插板閥 81000 系列, 是專(zhuān)為高真空應(yīng)用而設(shè)計(jì)的鋁制真空閥門(mén), 特別適用于壓力范圍約為1 x 10-7 mbar且烘烤溫度不超過(guò)...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2025-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 伯東 Pfeiffer 普發(fā)渦輪分子泵 Pfeiffer HiPace 700. 渦輪分子泵 HiPace 700 對(duì)氮?dú)獬樗倏蛇_(dá)到 685 l/s, 緊湊設(shè)計(jì)...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2025-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 上海伯東代理美國(guó)考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特別適合大中型真空系統(tǒng), 帶有水冷方式, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流. 通常應(yīng)用于...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2025-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 上海伯東代理美國(guó)考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 3000 大型真空系統(tǒng), 與友廠大功率離子源對(duì)比, eH 3000 是目前市場(chǎng)上, 提供離...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2025-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 上海伯東代理美國(guó)考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 考夫曼離子源 KDC 160. 屬于柵網(wǎng)離子源, 離子束可選聚焦/ 平行/ 散射. 適用于已知的所有離子源應(yīng)...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2025-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 上海伯東代理美國(guó)考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 考夫曼離子源 KDC 系列. 屬于柵網(wǎng)離子源, 離子束可選聚焦/ 平行/ 散射.離子束流: 10 mA~65...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2025-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 上海伯東代理美國(guó)考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 220, 大面積高能量柵網(wǎng)離子源.離子束流: 800 mA; 離子動(dòng)能: 100-1...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2025-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 上海伯東代理美國(guó)考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源, 離子束可選聚焦, 平行, 散射.離子束流: 100 mA~1500mA; 離子動(dòng)能: 100-...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2025-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 上海伯東代理美國(guó)考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 離子源, 99%原廠.KRI 射頻離子源 RFICP 380 屬于大面積射頻離子源, 離子束流: 1500 ...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2025-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: Gel-Pak 真空釋放(VR)托盤(pán)是大批量拾取和放置應(yīng)用的理想選擇.這種極其靈活的無(wú)口袋托盤(pán)可在運(yùn)輸, 處理和加工過(guò)程中牢固地固定包括裸模在內(nèi)的易碎設(shè)備.Ge...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2025-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 上海伯東日本適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究的 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE.蝕刻均勻性: 5%, 硅 Si 刻蝕速率20 nm/min, 樣品臺(tái): 直接...
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