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等離子氣相沉積爐實驗室等離子化學氣相沉積設備

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更新時間：2025-09-02 10:22:45瀏覽次數(shù)：205次

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產(chǎn)品簡介

等離子氣相沉積爐為洛陽西格馬高溫電爐生產(chǎn)的實驗室等離子化學氣相沉積設備，又稱等離子增強化學氣相沉積爐

詳細介紹

等離子氣相沉積爐為洛陽西格馬高溫電爐生產(chǎn)的實驗室等離子化學氣相沉積設備，又稱等離子增強化學氣相沉積爐。PECVD等離子氣相沉積爐可用于薄膜生長等工藝。
等離子氣相沉積爐是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子字體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應。該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點。是高校、科研院所、工礦企業(yè)做等離子體增強CVD實驗用的高溫設備。
工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應；借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成離子體，而等離子體化學活性很強，很容易反應，在基片上沉積出所期望的薄膜；具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點；

PECVD：SGM1200度滑膛管式+等離子射頻電源+混氣系統(tǒng)

PECVD：SGM1200度滑膛管式+低溫預加熱爐+等離子射頻電源+混氣系統(tǒng)

PECVD技術特點

1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)

2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低

3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積的薄膜的應力大小

4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高

PECVD特點

1、整機采用SUS304不銹鋼材質(zhì)，流線型外觀，真空吸附成型的優(yōu)質(zhì)高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛，保溫性能好。

2、爐子底部裝有一對滑軌，移動平穩(wěn)，可以手動從一端滑向另一端，實現(xiàn)快速的加熱和冷卻。爐蓋可開啟，可以實時觀察加熱的物料。

3、采用高純石英管，高溫下化學穩(wěn)定性強，耐腐蝕，熱膨脹系數(shù)極小。

4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭，通過用高溫“O"型圈緊密密封可獲得高真空，一個卡箍就能完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷。

5、加熱元件采用首鋼或康奈爾發(fā)熱絲，表面負荷高、經(jīng)久耐用。設計溫度1200℃，升溫速率10℃/min。

6、可選配多路質(zhì)量流量計，數(shù)字顯示、氣體流量自動控制；內(nèi)置不銹鋼混氣箱，每路氣體管路均配有逆止閥，可通過控制面板上的旋鈕來調(diào)節(jié)氣體流量。

7、等離子射頻電源：大射頻功率達500W，輸出頻率13.56MHz±0.005%，輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

技術參數(shù)

型號	SGM PECVD1200-2.5/20-2M-LV	SGM PECVD1200-5/20-4M-LV-P	SGM PECVD1200-6/40-2M-HV	SGM PECVD1200-8/40-4M-HV
設計溫度（℃）	1200	1200	1200	1200
控溫精度（℃）	±1	±1	±1	±1
加熱區(qū)直徑（mm）	25	50	60	80
加熱區(qū)長度（mm）	200	200	400	400
加熱管長度（mm）	450	450	1000	1000
恒溫區(qū)長度（mm）	80	80	150	150
額定電壓（V)	220	220	220	220
額定功率(KVA)	1.2	1.2	3	3
射頻電源功率（W)	5~300	5~300	5~500	5~500
真空機組	SGM PECVD-101	SGM PECVD-101	SGM PECVD-104	SGM PECVD-104
供氣系統(tǒng)	SGM PECVD-2F	SGM PECVD-4F	SGM PECVD-2M	SGM PECVD-4M