全自動多功能掃描聚焦 X 射線光電子能譜 2025/03/12 產(chǎn)品特點易操作式多功能選配附件全自動樣品傳送停放高性能大面積和微區(qū) XPS 分析快速精準深度剖析為電池、半導體、有機器件以及其他各領(lǐng)域提供全面解決方案簡單易操作PHI GENESIS 儀器高性能、全自動化、簡單易操作。操作界面可在同一個屏幕內(nèi)設(shè)......

詳細介紹

產(chǎn)品特點

易操作式多功能選配附件
全自動樣品傳送停放
高性能大面積和微區(qū) XPS 分析
快速精準深度剖析
為電池、半導體、有機器件以及其他各領(lǐng)域提供全面解決方案

簡單易操作

PHI GENESIS 儀器高性能、全自動化、簡單易操作。操作界面可在同一個屏幕內(nèi)設(shè)置常規(guī)和高級的多功能測試參數(shù)，同時保留諸如進樣照片導航和 SXI 二次電子影

像精準定位等功能。

簡單友好的用戶界面

PHI GENESIS 提供了一個簡單、直觀且易于操作的用戶界面，對操作人員非常友好，操作人員執(zhí)行簡單的設(shè)置操作即可完成包括所有選配附件在內(nèi)的自動化分析。

多功能選配附件

原位的多功能自動化分析，涵蓋了從LEIPS 測試導帶到 HAXPES 芯能級激發(fā)的全范圍技術(shù)，相比于傳統(tǒng)的 XPS 而言，PHI GENESIS 體現(xiàn)了性能價值。

全面的優(yōu)良解決方案 :

高性能 XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他選配附件可以滿足所有表面分析需求。

多數(shù)量樣品大面積分析

-多數(shù)量樣品大面積分析

- 把制備好樣品的樣品托放進進樣腔室后將自動傳送進分析腔室內(nèi)

- 可同時使用三個樣品托

- 80mm×80mm 的大樣品托可放置多數(shù)量樣品

- 可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復雜等各種各樣的樣品

unique可聚焦≤ 5μm 的微區(qū) X 射線束斑

在 PHI GENESIS 中，聚焦掃描 X 射線源可以激發(fā)二次電子影像（SXI），利用二次電子影像可以進行導航、精準定位、多點多區(qū)域同時分析測試以及深度剖析。

大幅提升的二次電子影像（SXI）

二次電子影像（SXI）精準定位，保證了所見即所得。的 5μmX 射線束斑為微區(qū) XPS分析應(yīng)用提供了新的機遇。

快速深度剖析

PHI GENESIS 可實現(xiàn)高性能的深度剖析。聚焦 X 射線源、高靈敏度探測器、高性能氬離子槍和高效雙束中和系統(tǒng)可實現(xiàn)全自動深度剖析，包括在同一個濺射刻蝕坑內(nèi)進行多點同時分析。

高性能的深度剖析能力

( 下圖左 ) 全固態(tài)電池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地顯示了在 2.0 μm 以下富 Li 界面的存在。( 下圖右 ) 在 LiPON 膜沉積初期，可以看到氧從 LiCoO2 層轉(zhuǎn)移到 LiPON 層中，使 Co 在 LiCoO2 層富 Li 界面由氧化態(tài)還原為金屬態(tài)。

角分辨 XPS 分析

無需濺射刻蝕的深度探索

下一代透明發(fā)光材料使用直徑約為 10nm~50nm 的納米量子點（QDs），結(jié)合使用XPS（Al Kα X 射線）和HAXPES（Cr Kα X 射線）對同一微觀特征區(qū)域進行分析，可以對 QDs 進行詳細的深度結(jié)構(gòu)分析。XPS 和 HAXPES 的結(jié)合使用，可以對納米顆粒進行

深度分辨、定量和化學態(tài)分析，從而避免離子束濺射引起的損傷。

深層界面的分析

應(yīng)用領(lǐng)域

主要應(yīng)用于電池、半導體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材料及器件領(lǐng)域。用于全固態(tài)電池、半導體、光伏、催化劑等領(lǐng)域的功能材料都是復雜的多組分材料，其研發(fā)依賴于化學結(jié)構(gòu)到性能的不斷優(yōu)化。ULVAC-PHI, Inc. 提供的全新表面分析儀器 “PHI GENESIS" 全自動多功能掃描聚焦 X射線光電子能譜儀，具有性能、高自動化和靈活的擴展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能分析平臺在各種研究領(lǐng)域的應(yīng)用