第2部分：低氣壓；

第4部分：強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)（HAST）；

第5部分：穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)；

第6部分：高溫貯存；

第11部分：快速溫度變化，雙液槽法；

第13部分：鹽霧；

第23部分：高溫工作壽命；

第24部分：加速耐濕，無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)（HSAT）；

第25部分：溫度循環(huán)；

第42部分：溫度和濕度貯存。

半導(dǎo)體芯片鹽霧試驗(yàn)方法

1. 將試驗(yàn)樣品進(jìn)行預(yù)處理，按照規(guī)定承受彎曲應(yīng)力的預(yù)處理，如果已經(jīng)作為其他試驗(yàn)進(jìn)行過，則不需要重新進(jìn)行彎曲；
2. 將試驗(yàn)樣品置于循環(huán)鹽霧試驗(yàn)箱中，設(shè)置好所需要的溫濕度，調(diào)整噴霧量大小與鹽霧噴出角度；
3. 試驗(yàn)時(shí)間有以下四種：

a. 試驗(yàn)時(shí)間：24±2h;

b. 試驗(yàn)時(shí)間：48±4h;

c. 試驗(yàn)時(shí)間：96±4h;

d. 試驗(yàn)時(shí)間：240±8h

結(jié)果判定

1. 在室內(nèi)正常照明下，放大1倍~3倍檢查，標(biāo)識模糊；
2. 腐蝕缺陷面積封裝零件（例如蓋板、引線或外殼）鍍層金屬面積的 5%；引線缺損、斷裂；放大 10～20 倍檢查，貫穿零件的腐蝕。