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當(dāng)前位置:西安賽航光電科技有限公司>>科研儀器>>實(shí)驗(yàn)電爐>> PECVD-Y12IIH-3Z/G(PECVD-Y12II6H-3Z/G)PECVD系統(tǒng)-1200℃預(yù)加熱滑動(dòng)雙溫區(qū)
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)PECVD-Y12IIH-3Z/G(PECVD-Y12II6H-3Z/G)
品 牌
廠商性質(zhì)其他
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更新時(shí)間:2022-04-19 12:08:38瀏覽次數(shù):184次
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系統(tǒng)名稱 | 1200℃預(yù)加熱滑動(dòng)雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng) | ||
系統(tǒng)型號(hào) | PECVD-Y12IIH-3Z/G | PECVD-Y12II6H-3Z/G | |
溫區(qū) | 1200℃ | ||
加熱區(qū)長(zhǎng)度 | 420mm | 610mm | |
恒溫區(qū)長(zhǎng)度 | 280mm | 400mm | |
溫區(qū) | 雙溫區(qū) | 雙溫區(qū) | |
石英管管徑 | Φ50/Φ60/Φ80 | Φ80/Φ100 | |
額定功率 | 3.2Kw | 4.8Kw | |
額定電壓 | 220V | 220V | |
滑動(dòng)方式 | 自動(dòng)滑動(dòng)/手動(dòng)滑動(dòng) | ||
溫度控制 | 國(guó)產(chǎn)程序控溫系統(tǒng)50段程序控溫 | ||
控制精度 | ± 1℃ | ||
爐管工作溫度 | < 1200℃ | ||
氣路法蘭 | 本實(shí)用新型在密封法蘭與管件鏈接的地方采用多環(huán)密封技術(shù),在密封法蘭與管外壁間形成了密封,在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效,該密封法蘭的安裝只需在次使用設(shè)備的時(shí)候安裝 | ||
預(yù)加熱溫度 | 1200℃ | ||
預(yù)加熱加熱區(qū)長(zhǎng)度 | 300mm | ||
預(yù)加熱恒溫區(qū)長(zhǎng)度 | 160mm | ||
額定功率 | 1.2KW | ||
額定電壓 | 220V | ||
溫度控制 | 國(guó)產(chǎn)程序控溫系統(tǒng)50段程序控溫 | ||
控制精度 | ± 1℃ | ||
氣體控制方式 | 質(zhì)量流量計(jì) | ||
氣路數(shù)量 | 3路(可根據(jù)具體需要選配氣路數(shù)量) | ||
流量范圍 | 0-500sccm(標(biāo)準(zhǔn)毫升/分,可選配)氮?dú)鈽?biāo)定 | ||
精度 | ± 1%F.S | ||
響應(yīng)時(shí)間 | ≤ 4sec | ||
工作溫度 | 5-45℃ | ||
工作壓力 | 進(jìn)氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力) | ||
系統(tǒng)連接方式 | 采用KF快速連接波紋管、高真空手動(dòng)擋板閥及數(shù)顯真空測(cè)量?jī)x | ||
規(guī)格 | 中真空 | 高真空 | |
系統(tǒng)真空范圍 | 10pa-100pa | 1×10-3pa-1×10-1pa | |
真空泵 | 雙極機(jī)械泵理論極限真空度3x10-3pa,抽氣速率4L/S,出氣口配有油污過(guò)濾器,額定電壓200V, 功率0.55Kw | 真空分子泵理論極限真空度5x10-6pa,抽氣 速率1600L/S,額定電壓200V,功率2Kw | |
信號(hào)頻率 | 13.56MHz ± 005% | ||
功率輸出范圍 | 5W-500W | ||
反射功率 | 200W | ||
射頻輸出接口 | 50Ω,N-type,temale | ||
功率穩(wěn)定度 | ± 0.1% | ||
諧波分量 | ≤ -50dbc | ||
供電電壓 | 單相交流(187V-253V)頻率50/60HZ | ||
整機(jī)功率 | ≥ 70% | ||
屏幕顯示 | 正方向功率,匹配器電容位置,偏置電壓值 | ||
整機(jī)尺寸 | 483*500*88mm | ||
爐體外形尺寸 | 340×580×555mm | 480×770×605mm | |
系統(tǒng)外形尺寸 | 530*2310*750mm | 530*2310*750mm(不含高真空) | |
系統(tǒng)總重量 | 300Kg | 380Kg | |
產(chǎn)品用途
PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。
PECVD系統(tǒng)配置
? 1200度開(kāi)啟式雙溫區(qū)真空管式爐。
? 滑動(dòng)系統(tǒng)分為手動(dòng),電動(dòng)滑動(dòng),并配置管內(nèi)測(cè)溫系統(tǒng)。
? 預(yù)加熱開(kāi)啟式管式電爐。
? 等離子射頻電源。
? 多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)。
? 真空系統(tǒng)(可選配中真空或者高真空)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
生長(zhǎng)溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、適用范圍廣、設(shè)備簡(jiǎn)單。
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