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環(huán)境設(shè)備測(cè)試的基本要求
1)對(duì)基本環(huán)境條件的要求,綜合在一起主要有下列幾項(xiàng):
A)溫度:15℃~35℃;
B)相對(duì)濕度:不大于85%RH;
C)大氣壓強(qiáng):86Kpa~106Kpa;
D)熱輻射:無(wú)陽(yáng)光直射,無(wú)熱源直接輻射;
E)氣流:無(wú)強(qiáng)烈氣流,需要時(shí)不可直接吹到箱體上;
F)電磁場(chǎng):無(wú)強(qiáng)烈電磁場(chǎng);
G)三廢:無(wú)高濃度粉塵及腐蝕性物質(zhì);
H)冷卻水源:水溫不大于30℃,水壓控制在0.1~0.3Mpa;
I)加濕水源:電阻率不低于500Ω·m 。
J)電源:220±22V、380±38V、50±0.5Hz。
2)負(fù)載要求
A)負(fù)載品種:一般可用電工、電子產(chǎn)品或其它產(chǎn)品、零部件及絕緣材料等(鹽霧試驗(yàn)除外)。
B)負(fù)載條件:
——負(fù)載總質(zhì)量:50~80Kg/m3;
——負(fù)載總體積:不大于工作室容積的1/5;
——阻擋主風(fēng)道總面積:不大于主風(fēng)道所處工作室截面積的1/3。
鹽霧試驗(yàn)設(shè)備:
——規(guī)格:50×100×(1~2)mm;
——種類(lèi):金屬;
——樣品數(shù):160塊/m2(工作室水平面面積計(jì))。
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