浙江納德科學儀器有限公司
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閱讀：92發(fā)布時間：2026-2-4
一、透射電子顯微技術(shù)TEM
1、分析原理：高能電子束穿透試樣時發(fā)生散射、吸收、干涉和衍射，使得在相平面形成襯度，顯示出圖象；
2、譜圖的表示方法：明場衍襯象、暗場衍襯象、質(zhì)厚襯度象、晶格條紋象、和分子象；
3、提供的信息：晶體形貌、微孔尺寸分布、分子量分布、晶格與缺陷、多相結(jié)構(gòu)等。
STEM成像不同于平行電子束的TEM，它是利用聚集的電子束在樣品上掃描來完成的，與SEM不同之處在于探測器置于試樣下方，探測器接收透射電子束流或彈性散射電子束流，放大后在熒光屏上顯示出明場像和暗場像。
入射電子束照射試樣表面發(fā)生彈性散射，一部分電子所損失能量值是樣品中某個元素的特征值，由此獲得EELS，利用EELS可以對薄試樣微區(qū)元素組成、化學鍵及電子結(jié)構(gòu)等進行分析。
二、掃描電子顯微技術(shù)SEM
1、分析原理：用電子技術(shù)檢測高能電子束與樣品作用時產(chǎn)生二次電子、吸收電子、X射線、背散射電子等并放大成象；
2、譜圖的表示方法：背散射象、吸收電流象、二次電子象、元素的線分布和面分布等；
3、提供的信息：斷口形貌、薄膜內(nèi)部的顯微結(jié)構(gòu)、表面顯微結(jié)構(gòu)、微區(qū)元素分析與定量元素分析等。
入射電子與樣品中原子的價電子發(fā)生非彈性散射作用而損失的那部分能量，激發(fā)核外電子脫離原子，能量大于材料逸出功的價電子從樣品表面逸出成為真空中的自由電子，此即二次電子。
二次電子掃描成像
入射電子達到離核很近的地方被反射，沒有能量損失;
用背反射信號進行形貌分析時，可根據(jù)背散射電子像的亮暗程度，判別出相應區(qū)域的原子序數(shù)的相對大小，由此可對金屬及其合金的顯微組織進行成分分析。
AFM的掃描模式有接觸模式和非接觸模式，接觸式利用原子之間的排斥力的變化而產(chǎn)生樣品表面輪廓;非接觸式利用原子之間的吸引力的變化而產(chǎn)生樣品表面輪廓。
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