深圳市怡和興機(jī)電科技有限公司
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閱讀：173發(fā)布時間：2024-10-10
聚酰亞胺的應(yīng)用
在大多數(shù)微電子應(yīng)用中，聚酰亞胺涂層通常是旋涂在基材上。同樣的工藝和基本工具組也用于應(yīng)用液體光刻膠。為了實(shí)現(xiàn)對硅、氧化物和大多數(shù)金屬的附著力，需要使用附著力促進(jìn)劑。一些聚酰亞胺有內(nèi)置的附著力促進(jìn)劑，而另一些則需要在應(yīng)用聚酰亞胺之前應(yīng)用單獨(dú)的附著力促進(jìn)劑或耦合劑。附著力促進(jìn)劑可通過旋涂法進(jìn)行應(yīng)用，旋涂法能確保的均勻性和涂層質(zhì)量。
除了常用的旋涂法，還有其他應(yīng)用技術(shù)比拉伸、噴霧、擠壓、滾筒、浸漬和滴涂也可用于聚酰亞胺的應(yīng)用。
聚酰亞胺圖案化制作
三個常見的圖案化技術(shù)是濕法蝕刻、干法蝕刻和光刻的聚酰亞胺。濕法蝕刻和可照相定義的聚酰亞胺都是在最終固化之前進(jìn)行圖案設(shè)計(jì)。干法蝕刻工藝要求聚酰亞胺層在蝕刻工藝之前固化。
濕法蝕刻圖案
濕法蝕刻圖案利用濕法化學(xué)與液體光阻相結(jié)合，在聚酰亞胺層中確定所需圖案。蝕刻圖案，利用濕化學(xué)與液體光刻膠相結(jié)合，在聚酰亞胺層中定義所需的圖案。濕式蝕刻 處理通常用于圖案粗大的特征，如粘合墊或 大的通孔?？梢钥煽康貙?shí)現(xiàn)1至5的縱橫比。
基礎(chǔ)工藝包括聚酰亞胺層的旋涂和部分固化，使用一個或多個在線熱板或有時使用對流爐。在上面涂上一層正面的光刻膠，進(jìn)行烘烤和成像。然后用標(biāo)準(zhǔn)的基于TMAH的顯影劑（0.26N）對光致抗蝕劑進(jìn)行顯影。該顯影劑將同時濕潤蝕刻成像區(qū)域的底層，在成像區(qū)域的聚酰亞胺。在顯影/蝕刻和水沖洗之后，使用液體光刻膠剝離劑剝離光刻膠。然后，圖案化的聚酰亞胺晶片被固化，以完成亞胺化過程并去除殘留的溶劑。
光敏的聚酰亞胺
光敏聚酰亞胺允許對相對精細(xì)的特征進(jìn)行圖案化。在固化的薄膜中，長寬比可以達(dá)到 在固化的薄膜中可以達(dá)到1比1的長寬比。
基本工藝包括聚酰亞胺的旋涂和一個干燥步驟。步驟，使用一個或多個在線熱板或一個對流爐。聚酰亞胺 然后，聚酰亞胺層在一個標(biāo)準(zhǔn)的I或G線光刻工具上曝光。A 負(fù)色調(diào)的光罩通常是需要的，因?yàn)榇蠖鄶?shù)可光定義的 聚酰亞胺是負(fù)作用的。成像后，晶圓在一個傳統(tǒng)的軌道線上被顯影。傳統(tǒng)的軌道線。在顯影和沖洗后，聚酰亞胺層被固化，以使膠片亞胺化并去除光包。在顯影和沖洗之后，聚酰亞胺層被固化，以使薄膜亞胺化并去除光包。
干蝕刻圖案和激光燒蝕
干蝕刻圖案通常用于長寬比大于1比1的非常精細(xì)的特征尺寸。
該過程始于聚酰亞胺層的應(yīng)用和固化。
固化后，在聚合物層上涂抹不透光的光刻膠或干式蝕刻掩膜。通常使用鋁或CVD氧化物的薄膜。在蝕刻掩模上涂抹光阻劑并進(jìn)行成像，以確定所需的圖案。然后將晶圓或襯底放在等離子體或反應(yīng)離子蝕刻機(jī)中，通常是平行板結(jié)構(gòu)。
蝕刻機(jī)，通常配置工藝參數(shù)和氣體然后對工藝參數(shù)和氣體混合物進(jìn)行優(yōu)化，以形成蝕刻掩模。混合氣體被切換到氧氣/CF混合氣體，參數(shù)被設(shè)定為蝕刻底層聚酰亞胺并去除光照。底層聚酰亞胺并去除光刻膠。然后，通過切換回蝕刻參數(shù)或使用濕法來剝離蝕刻面具。
激光燒蝕也是從一個固化的薄膜開始的。具體的圖案制作 過程取決于激光工具的配置。
聚酰亞胺的固化
聚酰亞胺薄膜的固化包括將溶劑載體或其他揮發(fā)性物質(zhì)從該層中去除，以及將聚合物亞胺化或硬化為難纏的聚酰亞胺薄膜。這種固化過程通常是分步驟進(jìn)行的，通常采用一個爐子或可編程烤箱用于最終固化。最終固化通常在280-400℃之間進(jìn)行，取決于應(yīng)用。
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