霍爾壓力傳感器是基于某些半導體材料的霍爾效應制成的?；魻栃侵府敼腆w導體放置在一個磁場內，且有電流通過時，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產生電壓（霍爾電壓）的現(xiàn)象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性，可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成。
在導體上外加與電流方向垂直的磁場，會使得導線中的電子受到洛倫茲力而聚集，從而在電子聚集的方向上產生一個電場，此電場將會使后來的電子受到電力作用而平衡掉磁場造成的洛倫茲力，使得后來的電子能順利通過不會偏移，此稱為霍爾效應。而產生的內建電壓稱為霍爾電壓。
當磁場為一交變磁場時，霍爾電動勢也為同頻率的交變電動勢，建立霍爾電動勢的時間極短，故其響應頻率高。理想霍爾元件的材料要求要有較高的電阻率及載流子遷移率，以便獲得較大的霍爾電動勢。常用霍爾元件的材料大都是半導體，包括N型硅(Si)、銻化銦(InSb)、砷化銦InAs)、鍺(Ge)、砷化鎵GaAs)及多層半導體質結構材料，N型硅的霍爾系數、溫度穩(wěn)定性和線性度均較好，砷化鎵溫漂小，目前應用。在使用的霍爾式壓力傳感器中，均采用恒定電流I，而使B的大小隨被測壓力戶變化達到轉換目的。
1)壓力一霍爾片位移轉換將霍爾片固定在彈簧管自由端.當被測壓力作用于彈黃管時，把壓力轉換成霍爾片線性位移。
2)非均勻線性磁場的產生為了達到不同的霖爾片位移，施加在霍爾片的磁感應強度 B不同，又保證霍爾片位移一磁感應強度B線性轉換，就需要一個非均勻線性磁場。非均勻線性磁場是靠極靴的特殊幾何形狀形成的。
3)霍爾片位移-霍爾電勢轉換
當霍爾片處于兩對極靴間的平衡位置時，由于霍爾片左右兩半所通過的磁通方向相反、大小相等，互相對稱，故在霍爾片左右兩半上產生的霖爾電勢也大小相等、極性相反。
因此，從整塊霍爾片兩端導出的總電勢為零，當有壓力作用，則翟爾片偏離極靴間的平衡位置。橄爾片兩半所產生的兩個極性相反的電勢大小不相等，從整塊霍爾片導出的總電勢不為零.壓力越大，輸出電勢越大.沿霍爾片偏離方向上的磁感應強度的分布呈線性狀態(tài)，故霍爾片兩端引出的電勢與報爾片的位移成線性關系.即實現(xiàn)了霍爾片位移和報爾電勢的線性轉換。
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