硅壓阻壓力傳感器是采用硅壓阻原理，利用單晶硅良好的機(jī)械性能和電學(xué)性能，通過(guò)擴(kuò)散或離子注入工藝將對(duì)壓力敏感的電阻注入到感壓薄膜中，實(shí)現(xiàn)感壓元件和轉(zhuǎn)換電路的集成而制作的傳感器。其特性評(píng)價(jià)如下：
制作工藝兼容
該傳感器制作工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，且MEMS工藝與IC工藝兼融，成本相對(duì)較低。通過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可提高性能 利用芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其靈敏度可以做得很高，實(shí)現(xiàn)微、低壓力的測(cè)量。利用“雙島結(jié)構(gòu)”可實(shí)現(xiàn)10Ka的硅微壓傳感器，利用“梁膜結(jié)構(gòu)”可實(shí)現(xiàn)1Ka的硅微微壓傳感器稱重傳感器。利用硅壓阻壓力傳感器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)隔離膜片充液封裝，提高硅壓阻壓力傳感器的可靠性和穩(wěn)定性。
線性好
硅壓阻壓力傳感器，輸入和輸出之間存在著良好的線性關(guān)系，由于硅壓阻壓力傳感器通常有四個(gè)力敏電阻組成全橋式的惠斯登橋路，四個(gè)電阻雖都受到橫向壓力，且有相似的非線性特性，但構(gòu)成全橋時(shí)，非線性特性可相互抵消，因此非線性可以做得很小。
工藝成熟
硅壓阻壓力傳感器制作工藝成熟，生產(chǎn)廠家通常提供恒流、恒壓供電的溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。
缺點(diǎn)
從原理上講，硅壓阻壓力傳感器是以硅材料為基礎(chǔ)的物性型傳感器，硅材料受環(huán)境溫度影響較大，會(huì)產(chǎn)生很大的零點(diǎn)溫度漂移和靈敏度溫度漂移，且形式多樣，對(duì)提高器件的穩(wěn)定性很不利，同時(shí)硅壓阻壓力傳感器必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償，否則工業(yè)上很難應(yīng)用；建立一套完整的溫度補(bǔ)償技術(shù)，不僅增加成本，同時(shí)也增加了人力資源，從某種意義上來(lái)說(shuō)，極大地限制了硅壓阻壓力傳感器位移傳感器的廣泛應(yīng)用。更多壓力傳感器相關(guān)文章請(qǐng)見(jiàn)滄正傳感
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