物理特性

晶體管型

尺寸(寬×高×深)

137×80×62mm

功耗

7W

供電電源

DC：20.4 到28.8V

額定供電電源

24VDC

存儲器特性

      程序存儲器

基本12KB，可擴(kuò)展至16KB

      數(shù)據(jù)存儲器

基本8KB

      超級電容

約112小時(典型值)

      外接電池（可選）

約200天(典型值)

常規(guī)特性

定時器總數(shù)

      1ms

      10ms

      100ms

256

4

16

236

計(jì)數(shù)器總數(shù)

256(由超級電容備份)

內(nèi)存存貯器位

256(由超級電容備份)

內(nèi)存存儲位掉電保持

112

時間中斷

2個1ms分辨率

邊沿中斷

4個上升沿和/或4個下降沿

模擬電位器

2個8位分辨率

布爾量運(yùn)算執(zhí)行時間

0.15µs

浮點(diǎn)運(yùn)算執(zhí)行時間

8µs

時鐘

內(nèi)置

集成的通信功能<, /P>

通訊接口

2個通信口，PORT0:PPI口，RS485；FPORT0:自由通信口， RS485電平

PPI波特率

9.6, 19.2和187.5k

自由口波特率

1.2kbaud 至 115.2k

每段大電纜長度

      使用隔離中繼器

      未使用隔離中繼器

波特率為187.5時1000米，38.4k時1200米

50米

大站點(diǎn)數(shù)

每段32個站，每個網(wǎng)絡(luò)126個站

大主站數(shù)

32

點(diǎn)到點(diǎn)(PPI主站模式)

是(NETR/NETW)，共8個，2個保留

I/O特性

本機(jī)數(shù)字量輸入點(diǎn)數(shù)

14

輸入類型

漏型/源型

本機(jī)數(shù)字量輸出點(diǎn)數(shù)

10

輸出類型

固態(tài)—MOSFET

數(shù)字I/O映象區(qū)

256(128輸入/128輸出)

模擬I/O映象區(qū)

64(32輸入/32輸出)

允許大擴(kuò)展I/O模塊數(shù)

7

大數(shù)字量I/O點(diǎn)數(shù)

230

大模擬量I/O點(diǎn)數(shù)

56AI / 28AO

脈沖捕捉輸入

14

高速計(jì)數(shù)器

    總數(shù)

    單相計(jì)數(shù)器

    兩相計(jì)數(shù)器

2（HSC0和HSC1）

2×30KHz

2×20KHz

數(shù)字量輸入特性

本機(jī)集成數(shù)字量輸入點(diǎn)數(shù)

14

輸入類型

漏型/源型 (IEC 類型1/漏型)

額定電壓

24V DC

大持續(xù)允許電壓

30V DC

邏輯1信號 ( 小)
邏輯0信號 ( 大)

18 VDC，2.5mA
5 VDC，1mA

隔離(現(xiàn)場與邏輯)
光電隔離
隔離組

有
500V AC，1分鐘
見接線圖

同時接通的輸入

14

大電纜長度
屏蔽

非屏蔽

500米(標(biāo)準(zhǔn)輸入)
50米(高速計(jì)數(shù)器輸入)
300米(標(biāo)準(zhǔn)輸入)

數(shù)字量輸出特性

本機(jī)集成數(shù)字量輸出點(diǎn)數(shù)<, /P,><, /T, D>

10

輸出類型

固態(tài)——MOSFE

額定電壓

24VDC

每點(diǎn)額定電流(大)
浪涌電流(大)

0.75A

 8A，100ms

燈負(fù)載(大)

5W

接通電阻(接點(diǎn))

0.3歐姆典型值(0.6歐姆大值)

延時(大)
    斷開到接通
    接通到斷開

2us(Q0.0, Q0.1)，15us(其它)
10us(Q0.0, Q0.1)，130us(其它)

高速脈沖輸出

2軸×50KHz

支持運(yùn)控CPU的PTP/Speed_ctrl等指令,不支持編程軟件中的PTO/PWM指令

同時接通的輸出

10

兩個輸出并聯(lián)

是，僅輸出同組時

大電纜長度
    屏蔽
    非屏蔽

500米(標(biāo)準(zhǔn)輸入)
150米(標(biāo)準(zhǔn)輸入)