青島佳鼎分析儀器有限公司
會(huì)員1.png)
青島佳鼎分析儀器有限公司
經(jīng)營(yíng)模式：經(jīng)銷(xiāo)商
商鋪產(chǎn)品：441條
所在地區(qū)：山東青島市
聯(lián)系人：銷(xiāo)售 （銷(xiāo)售經(jīng)理）
閱讀：288發(fā)布時(shí)間：2024-7-21
SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。
舉個(gè)例子，Si原子直徑大，相當(dāng)于蘋(píng)果，C原子直徑小，相當(dāng)于橘子，把數(shù)量相等的橘子和蘋(píng)果堆在一起就成了SiC晶體。
SiC 是一種二元化合物，其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?，這個(gè)間距如何理解呢？目前市面上逼的光刻機(jī)光刻精度3nm，就是30?的距離，光刻精度是原子距離的8倍。
Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個(gè)原子拉開(kāi)的力度，鍵能越大，需要拉開(kāi)的力越大。
Si-C 鍵原子間距為 1.89 ?， 鍵能大小為 447 kJ/mol。
從鍵能上可以看出相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料，碳化硅基半導(dǎo)體材料化學(xué)性質(zhì)更加穩(wěn)定。
從圖中看出任意一個(gè)C原子都與最鄰近的四個(gè)Si原子相連，反之任意一個(gè)Si原子都與最鄰近的四個(gè)C原子相鍵連。
SiC 晶體結(jié)構(gòu)還可以采用層狀結(jié)構(gòu)方法描述，如圖所示，晶體中的若干C原子均占據(jù)在同一平面上的六方格位點(diǎn)中，形成一個(gè)C原子密排層，而Si原子也占據(jù)在同一平面上的六方格位點(diǎn)中并形成一個(gè)Si原子密排層。
C原子密排層中的每一個(gè)C都與最鄰近的Si相連接，反之Si原子密排層也相同。每?jī)蓚€(gè)相鄰的 C、Si原子密排層構(gòu)成一個(gè)碳硅雙原子層。
SiC晶體的排列組合形式十分豐富，目前已發(fā)現(xiàn)的SiC晶型達(dá) 200 多個(gè)。
這個(gè)類(lèi)似俄羅斯方塊，雖然最小單元方塊都一樣，但方塊組合在一起后，就拼成出了不同形態(tài)。
SiC的空間結(jié)構(gòu)比俄羅斯方塊稍微復(fù)雜點(diǎn)，它的最小單元從小方格變成小四面體，由C原子和Si原子組成的四面體。
為了區(qū)分 SiC 的不同晶型，目前主要采用 Ramsdell 方法進(jìn)行標(biāo)記。該方法采用字母與數(shù)字相結(jié)合的方法來(lái)表示SiC 的不同晶型。
其中字母放在后面，用來(lái)表示晶體的晶胞類(lèi)型。C 代表立方晶型(英文Cubic首字母)，H 代表六方晶型(英文Hexagonal首字母)，R 代表菱形晶型(英文Rhombus首字母)。數(shù)字放在前面，用來(lái)表示基本重復(fù)單元的Si-C雙原子層的層數(shù)。
除2H-SiC與3C-SiC外，其它晶型均可視為閃鋅礦與纖鋅礦結(jié)構(gòu)的混合體，也就是密排六方結(jié)構(gòu)。
儀表網(wǎng) 設(shè)計(jì)制作，未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ?
請(qǐng)輸入賬號(hào)
請(qǐng)輸入密碼
請(qǐng)輸驗(yàn)證碼