使用常規(guī)的光刻技術(shù)，在標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體周期中以GaAs高遷移率異質(zhì)結(jié)構(gòu)制造探測(cè)器。成像傳感器在單個(gè)晶片上制造。該過程確保了等離子體檢測(cè)器參數(shù)的高度均勻性和可重復(fù)性（像素到像素的偏差響應(yīng)度在20％的范圍內(nèi)）。每個(gè)檢測(cè)器單元的室溫響應(yīng)率高達(dá)50 kV / W，具有讀出電路，在10 GHz到1 THz的頻率范圍內(nèi)的等效噪聲功率為1 nW /√Hz。該檢測(cè)機(jī)制基于激發(fā)二維電子系統(tǒng)中等離子體振蕩并隨后進(jìn)行整流的機(jī)制。整流發(fā)生在電子系統(tǒng)中產(chǎn)生的特殊缺陷上。
太赫茲相機(jī)是主動(dòng)檢測(cè)設(shè)備，需要外部THz源。提供基于IMPATT技術(shù)的太赫茲波源。所有的TERA系列太赫茲成像相機(jī)都使用具有相同功能和空間分辨率的相同類型的探測(cè)器。各型號(hào)之間的差異在于其傳感器陣列中的像素?cái)?shù)量及其有效成像區(qū)域。除了標(biāo)準(zhǔn)THz相機(jī)機(jī)型號(hào)外，還提供定制的解決方案，以滿足各種配置和幾何形狀要求。
參數(shù)： 
256像素（16 x 16陣列）
1.5毫米像素間距
NEP = 1 nW /√Hz
11.5厘米x 11.5厘米x 4.2厘米設(shè)備尺寸