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江蘇大贏電氣制造有限公司
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智能化介質(zhì)損耗測試儀

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產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地揚州市

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更新時間:2021-03-10 09:40:11瀏覽次數(shù):159次

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產(chǎn)地 國產(chǎn) 加工定制 是
智能化介質(zhì)損耗測試儀采用變頻抗干擾和傅立葉變換數(shù)字濾波技術(shù),全自動智能化測量,強(qiáng)干擾下測量數(shù)據(jù)非常穩(wěn)定。

產(chǎn)品結(jié)構(gòu):

智能化介質(zhì)損耗測試儀一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置介損電橋、變頻電源、試驗變壓器和標(biāo)準(zhǔn)電容器等。采用變頻抗干擾和傅立葉變換數(shù)字濾波技術(shù),全自動智能化測量,強(qiáng)干擾下測量數(shù)據(jù)非常穩(wěn)定。測量結(jié)果由大屏幕液晶顯示,自帶微型打印機(jī)可打印輸出。

工作原理:

   智能化介質(zhì)損耗測試儀測量線路包括一路標(biāo)準(zhǔn)回路和一路測試回路:
1、標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高壓穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成,由計算機(jī)實時采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差,并由之算出被測試品電容容值(CX)和其介質(zhì)損耗(tgδ)。
2、數(shù)據(jù)采集電路全部采用高壓穩(wěn)定器件,采集板和采集計算機(jī)被鐵盒*浮空屏蔽,儀器外殼地屏蔽;另外使用了光導(dǎo)數(shù)據(jù)、浮空地、大面積地、單點地、數(shù)字濾波等抗干擾技術(shù),加之計算機(jī)對數(shù)百個電網(wǎng)周期的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,使測量結(jié)果穩(wěn)定、精確、可靠。 

產(chǎn)品特點:

1.儀器采用復(fù)數(shù)電流法,測量電容、介質(zhì)損耗及其它參數(shù)。測試結(jié)果精度高,便于實現(xiàn)自動化測量。
2.儀器采用了變頻技術(shù)來消除現(xiàn)場50Hz工頻干擾,即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測得可靠的數(shù)據(jù)。
3.儀器采用大屏幕液晶顯示器,測試過程通過漢字菜單提示既直觀又便于操作。
4.儀器操作簡便,測量過程由微處理器控制,只要選擇好合適的測量方式,數(shù)據(jù)的測量就可在微處理器控制下自動完成。
5.一體化機(jī)型,內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源,便于現(xiàn)場測試,減少現(xiàn)場接線。
6.儀器測量準(zhǔn)確度高,可滿足油介損測量要求,因此只需配備標(biāo)準(zhǔn)油杯,和測試線即可實現(xiàn)油介損測量。
7.設(shè)CVT測試功能,可實現(xiàn)CVT的自激法測試,無需外置附件,只需一次測量,C1,C2的電容和介損全部測出。
8.反接線測試采用Ivddv技術(shù),消除了以往反接線數(shù)據(jù)不穩(wěn)定的現(xiàn)象。
9.具有反接線低壓屏蔽功能,在220kV CVT母線接地情況下,對C11可進(jìn)行不拆線10kV反接線介損測量
10.具有測量高電壓介損功能,能夠使用高壓變壓器或串聯(lián)諧振進(jìn)行超過10kV電壓的介損試驗。
11.接地保護(hù)功能,當(dāng)儀器不接地線或接地不良時,儀器不進(jìn)入正常程序,不輸出高壓。過流保護(hù)功能,在試品短路或擊穿時儀器不受損壞。
12.觸電保護(hù)功能,當(dāng)儀器操作人員不小心觸電時候,儀器會立即切斷高壓,保障試驗人員的安全

技術(shù)指標(biāo):

1、環(huán)境溫度:0~40℃       
2、相對濕度:30% ~70% 
3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz 
4、外形尺寸:500mm×300mm×400mm 
5、重量:約18Kg           
6、輸出功率:0.6KVA 
7、顯示分辯率:3位、4位(內(nèi)部全是6位) 
8、測量范圍及輸出電壓選擇:
    介質(zhì)損耗(tgδ):±0.00~±999% 
    試品電容容量(Cx)和加載電壓: 
    2.5KV檔:≤300nF(300000pF)      3KV檔:≤200nF(200000pF) 
    5KV檔:≤76nF(76000pF)          7.5KV檔:≤34nF(34000pF) 
    10KV檔:≤20nF(20000pF) 
9、基本測量誤差:
    介質(zhì)損耗(tgδ):1%±7個字(加載電流20uA~500mA) 
    介質(zhì)損耗(tgδ):2%±9個字(加載電流5uA~20uA) 
    電容容量(Cx):1.5%±1.5pF

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