詳細(xì)摘要: 光伏型InSb銻化銦探測(cè)器是由使用單晶材料的mesa技術(shù)形成的p-n結(jié)。該工藝生產(chǎn)的光電二極管高,在1μm至5.5μm波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有優(yōu)異的電光性能。這些二極管是...
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詳細(xì)摘要: 光伏型InSb銻化銦探測(cè)器是由使用單晶材料的mesa技術(shù)形成的p-n結(jié)。該工藝生產(chǎn)的光電二極管高,在1μm至5.5μm波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有優(yōu)異的電光性能。這些二極管是...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 高質(zhì)量液氮冷卻碲鎘汞探測(cè)器都針對(duì)特定的波長(zhǎng)進(jìn)行了優(yōu)化;2μm至5μm、2μm至13μm或FTIR系列波段高達(dá)2μm至24μm。FTIR系列HgCdTe探測(cè)器旨在...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: InSb/HgCdTe雙色紅外探測(cè)器的構(gòu)造是為了響應(yīng)不同但相鄰的紅外光譜區(qū)域。一個(gè)元件的波長(zhǎng)響應(yīng)較短,另一個(gè)元件的波長(zhǎng)響應(yīng)較長(zhǎng)。的結(jié)構(gòu)允許兩個(gè)元素處于同一個(gè)焦點(diǎn)...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: K561 Integral Stirling低功耗微型IDCA:該型號(hào)是為滿足手持式熱成像儀的應(yīng)用要求而專門開發(fā)的,其中緊湊性、低輸入功率和較低的重量是最重要的...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: HgCdTe光電探測(cè)器(MCT)可以配置液氮致冷或者電制冷,通過(guò)調(diào)整這種三元化合物的合金成分,可以改變波長(zhǎng)響應(yīng)范圍。HgCdTe探測(cè)器需要優(yōu)化偏置電壓,以提高信...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源,具有非常低的漂移和高的動(dòng)態(tài)范圍。非常適合于輻射測(cè)量,光譜分析以及醫(yī)學(xué)診斷。集成運(yùn)放的Si光電二極管...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源,具有非常低的漂移和高的動(dòng)態(tài)范圍。該款Si硅光電二極管頂部配有聚光透鏡,具有更大范圍的響應(yīng)。非常適合...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源,具有非常低的漂移和高的動(dòng)態(tài)范圍。非常適合于輻射測(cè)量,光譜分析以及醫(yī)學(xué)診斷。集成運(yùn)放的Si光電二極管...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: 集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源,具有非常低的漂移和高的動(dòng)態(tài)范圍。該款Si硅光電二極管超低功耗,頂部配有聚光透鏡,具有更大范圍的響應(yīng)...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射,并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低,響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測(cè)器的使用材料。定制款I(lǐng)FW的Si...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射,并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低,響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測(cè)器的使用材料。SiC探測(cè)器可以在...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射,并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低,響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測(cè)器的使用材料。SiC探測(cè)器可以在...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射,并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低,響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測(cè)器的使用材料。SiC探測(cè)器可以在...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射,并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低,響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測(cè)器的使用材料。SiC探測(cè)器可以在...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:上海更新時(shí)間:2022-08-06 在線留言詳細(xì)摘要: SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射,并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低,響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測(cè)器的使用材料。SiC探測(cè)器可以在...
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