詳細(xì)摘要： 大功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)華科智源STEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-25 在線留言深圳市華科智源科技有限公司
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深圳市華科智源科技有限公司
詳細(xì)摘要： 大功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)華科智源STEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-25 在線留言
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng) 華科智源 系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證各種情況下測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確可靠。
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-DC-2020所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-10-09 在線留言
詳細(xì)摘要： ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查...
產(chǎn)品型號(hào)：ITC55100所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-06-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-功率器件浪涌電流測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-06-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 品牌： 華科智源名稱： 雪崩能量測(cè)試儀用途： 用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-06-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對(duì)IGBT/SIC的封裝可靠性行進(jìn)行實(shí)驗(yàn),通過(guò)控制實(shí)驗(yàn)條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實(shí)驗(yàn)的關(guān)...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-06-29 在線留言
詳細(xì)摘要： SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀功能及主要參數(shù)：適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-06-29 在線留言
詳細(xì)摘要： IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)特制測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-06-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 雪崩能量測(cè)試儀 華科智源主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試。測(cè)試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達(dá)2000J。測(cè)試的...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-05-15 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源HUSTEC-1600A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-05-15 在線留言
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng) 華科智源 系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證各種情況下測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確可靠。
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-5000所在地：深圳市更新時(shí)間：2020-10-23 在線留言
詳細(xì)摘要： HUSTEC-580*檢測(cè)儀系統(tǒng) 華科智源掃描需要檢測(cè)的SMT貼片*PCB，智能框獲取PCB實(shí)物掃描圖片，導(dǎo)入BOM清單和PCB元件貼片坐標(biāo)。軟件對(duì)PCB圖片、...
產(chǎn)品型號(hào)：TC57300mos管所在地：深圳市更新時(shí)間：2020-10-23 在線留言
詳細(xì)摘要： 臺(tái)式桌面型SMT*檢測(cè)儀系統(tǒng) 華科智源 將BOM，坐標(biāo)及圖紙進(jìn)行完美核對(duì)，實(shí)時(shí)顯示檢測(cè)情況，避免漏檢，可方便根據(jù)誤差范圍 對(duì)元件值合格值自動(dòng)判定，對(duì)多貼，錯(cuò)料，...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2020-10-23 在線留言
詳細(xì)摘要： IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 華科智源 主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測(cè)量測(cè)試，包括對(duì)半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的...
產(chǎn)品型號(hào)：TC57300mos管所在地：深圳市更新時(shí)間：2020-10-23 在線留言
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 華科智源 升級(jí)擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可提高電壓電流，和增加測(cè)試品種范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V,1250A;采用脈沖測(cè)試法，脈沖寬度...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2020-10-23 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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