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行業(yè)產(chǎn)品

  • 行業(yè)產(chǎn)品

深圳市華科智源科技有限公司


經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:200條

所在地區(qū):廣東深圳市

聯(lián)系人:陳先生 (經(jīng)理)

  • 功率器件靜態(tài)參數(shù)iv曲線分析儀

    詳細(xì)摘要: 華科智源功率器件靜態(tài)參數(shù)iv曲線分析儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-09-09 在線留言

  • 半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: 華科智源半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-09-09 在線留言

  • GaN器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 華科智源GaN器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-09-09 在線留言

  • 功率芯片靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: 華科智源功率芯片靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-09-09 在線留言

  • 功率半導(dǎo)體測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 華科智源功率半導(dǎo)體測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-09-09 在線留言

  • 元器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 華科智源元器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-09-09 在線留言

  • 功率器件測(cè)試儀系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: 華科智源功率器件測(cè)試儀系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-09-09 在線留言

  • SiC器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 華科智源SiC器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-09-08 在線留言

  • 大功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: 華科智源大功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-09-08 在線留言

  • SiC器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 華科智源SiC器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-09-08 在線留言

  • 大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 華科智源大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-09-08 在線留言

  • IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-09-08 在線留言

  • 國(guó)產(chǎn)大功率靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 華科智源大功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-08-20 在線留言

  • 國(guó)產(chǎn)功率器件半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 華科智源大功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-08-20 在線留言

  • 大功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 華科智源大功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-07-22 在線留言

  • igbt性能測(cè)試儀器失效分析

    詳細(xì)摘要: 華科智源igbt性能測(cè)試儀器失效分析可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-07-22 在線留言

  • IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-07-22 在線留言

  • 功率半導(dǎo)體IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 華科智源功率半導(dǎo)體IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-07-22 在線留言

  • 半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 華科智源半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件...

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-07-22 在線留言

  • 高壓大電流igbt測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 華科智源高壓大電流igbt測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的...

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:深圳市更新時(shí)間:2026-07-22 在線留言

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