背壓硅電路模組

描述

無錫勝脈電子有限公司的陶瓷封裝差壓模組CPD系列是由硅差壓傳感器和MCU構(gòu)成的電路模組，封裝在11*11mm的Al₂O₃陶瓷基板上。采用濺射薄膜工藝制成的鎳鈀金鍍層，保證了點的打線可靠性。不同于正面封裝的硅絕壓傳感器，差壓傳感器背部受壓，正面打線，具有的介質(zhì)兼容性。模塊以供電電壓為參考，產(chǎn)生經(jīng)過放大、校驗、溫度補償后的電壓信號，與輸入壓力呈線性關(guān)系。供電電壓為5±0.25V，典型電流為2.3mA.輸入表壓0KPa~1000KPa,輸出為0.5~4.5V。在-20～85℃范圍2%FS誤差。

此傳感器芯片可根據(jù)客戶要求定制輸入輸出參數(shù)。

電路示意圖

特點

綜合精度可達1%
溫度補償范圍-40～125℃。
小尺寸，11*11mm,
介質(zhì)兼容性好，可用于氣體、水、油環(huán)境
管腳、打線均在反面，與測量介質(zhì)隔離，可靠性高

應用

汽車壓力傳感器
家用電器
醫(yī)療電子
工業(yè)控制

工作特性

（VS=5V DC，TA=25℃，除非另外說明）

特性	符號	最小	典型			單位
壓力范圍	Pop	0	---	1000		kPa
工作電壓	V_S	4.5	5	5.5		Vdc
工作電流	I_O	---	2	3		mAdc
最小壓力偏移 (0 to 85℃)@ V_S=5V	V_Off	0.440	0.500	0.560		Vdc
滿量程輸出 (0 to 85℃)@ V_S=5V	V_FSO	4.440	4.500	4.560		Vdc
滿量程跨度 (0 to 85℃)@ V_S=5V	V_FSS	3.880	4.000	4.120		Vdc
精度 (0 to 85℃)	---	---	---	±	1.0	% V_FSS
靈敏度	V/P	---	4	---		mV/kPa
響應時間	t_R	---	1.0	---		mS
預處理時間	---	---	10	---		mS
偏移穩(wěn)定性	---	---	±0.5	---		% V_FSS
上電時間	t_pon	---	---	100		mS

極限參數(shù)

表2. 額定值

參數(shù)名	符號	值	單位
壓力	P_MAX	3000	kPa
電壓	Vmax	-0.3 to 10	Vdc
電流（Vmax = 10V）	Imax	10	mAdc
ESD保護(MIL 883, Method 3015.7.)		±4	kV
存儲溫度	T_STG	-50 to 135	℃
工作溫度	T_A	-40 to 125	℃
輸出電流	I_O+	0.5	mAdc
輸入電流	I_O-	-0.5	mAdc