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閱讀：52發(fā)布時(shí)間：2025-11-2
LED 光珠工作時(shí)（通電狀態(tài)），內(nèi)部芯片、金線、支架等結(jié)構(gòu)的 “正常狀態(tài)" 與 “缺陷狀態(tài)" 會(huì)呈現(xiàn)不同的溫度分布特征，紅外熱像儀能通過溫度異常定位內(nèi)部缺陷。
LED工作時(shí)，內(nèi)部缺陷（如虛焊、材料不均、芯片裂紋等）會(huì)導(dǎo)致局部電阻增大或散熱異常，表現(xiàn)為溫度分布不均或熱點(diǎn)。熱像儀捕獲LED表面的紅外輻射（波長(zhǎng)3~14 μm），將其轉(zhuǎn)換為溫度分布圖像，直觀顯示異常溫升區(qū)域。
| 內(nèi)部缺陷類型 | 缺陷對(duì)電流 / 散熱的影響 | 熱像圖溫度特征 | 對(duì)比正常狀態(tài)（參考） |
| 金線虛焊 / 斷裂 | 金線接觸電阻增大，電流通過時(shí) “發(fā)熱激增" | 虛焊 / 斷裂點(diǎn)對(duì)應(yīng)位置出現(xiàn)局部高溫點(diǎn)（紅色區(qū)域） | 正常金線傳導(dǎo)均勻，熱像無明顯高溫點(diǎn) |
| 芯片局部破損 | 破損區(qū)域無法導(dǎo)電發(fā)光，僅散熱不產(chǎn)熱 | 破損區(qū)域出現(xiàn)局部低溫區(qū)（藍(lán)色區(qū)域） | 正常芯片發(fā)熱均勻，熱像顏色分布一致 |
| 芯片污染（如光刻殘留） | 污染區(qū)域電阻升高，電流密度低，產(chǎn)熱少 | 污染區(qū)域出現(xiàn)低溫斑點(diǎn) | 正常芯片無明顯低溫斑點(diǎn) |
| 支架與芯片貼合不良 | 芯片熱量無法通過支架有效散熱 | 芯片整體溫度偏高（熱像整體偏紅） | 正常芯片熱量通過支架傳導(dǎo)，整體溫度適中 |
| 熒光粉涂覆過厚（局部） | 過厚區(qū)域散熱慢，熱量堆積 | 熒光粉過厚區(qū)域出現(xiàn)溫度略高的塊狀區(qū)域 | 熒光粉均勻時(shí)，溫度分布無明顯塊狀差異 |
格物優(yōu)信紅外熱像儀為非接觸無損檢測(cè)，可避免物理接觸損傷微小LED結(jié)構(gòu)。同時(shí)快速全場(chǎng)掃描，單次成像即可獲取整個(gè)LED或陣列的溫度場(chǎng)，效率高于點(diǎn)測(cè)溫。測(cè)溫精度可達(dá)±2%，識(shí)別細(xì)小溫差，精準(zhǔn)定位微小缺陷。全天候監(jiān)測(cè)，搭配專用軟件支持通電過程中的實(shí)時(shí)溫度變化記錄（如啟動(dòng)瞬態(tài)、穩(wěn)態(tài)熱分布），歷史查詢，報(bào)警記錄等。
通過紅外熱像技術(shù)，LED制造商可實(shí)現(xiàn)缺陷的早期篩查，提升產(chǎn)品良率與壽命，同時(shí)降低傳統(tǒng)破壞性檢測(cè)的成本。
注意事項(xiàng)：檢測(cè)時(shí)，需LED通電至額定工作電流，確保穩(wěn)定發(fā)光狀態(tài)。再進(jìn)行！
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