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閱讀:14發(fā)布時間:2026-4-12
在符合其他指標的前提下減小熱敏電阻的阻值







電源芯片是需要一定的電流和電壓進行工作的,如果Vcc供電電壓越高損耗越大。

繞組的層與層之間的分布電容的充放電損耗(分布電容在開關MOS管關斷時充電,在開關MOS管開通時放電引起的損耗。)

當測試mos管電流波形時,剛開啟的時候有個電流尖峰主要由變壓器分布電容引起。


改善辦法:降低開關頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片(在空載或很輕負載的情況下芯片進入間歇式振蕩)

當然還有整流管上的開關損耗、導通損耗和反向恢復損耗,這應該在允許的情況下盡量選擇導通壓降低和反向恢復時間短的二極管。


九、輸出反饋電路的損耗

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