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更新時(shí)間：2025-08-25 11:54:48瀏覽次數(shù)：893評價(jià)
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| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 加工定制 | 是 |
|---|
單晶硅壓力變送器報(bào)價(jià)
工作原理
單晶硅遠(yuǎn)傳差壓變送器 傳感器模塊采用全焊接技術(shù)，內(nèi)部擁有一個(gè)整體化的過載膜片，一個(gè)壓力傳感器和一個(gè)溫度傳感器。溫度傳感器作為溫度補(bǔ)償?shù)膮⒖贾?。壓力傳感器的正壓?cè)與傳感器膜盒的高壓腔相連，傳感器的負(fù)壓側(cè)與傳感器膜盒的低壓腔相連，壓力通過隔離膜片和填充液，傳遞給傳感器內(nèi)的硅芯片，使壓力傳感器的芯片的阻值發(fā)生變化，從而導(dǎo)致檢測系統(tǒng)輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比，再由適配單元和放大器轉(zhuǎn)化成一標(biāo)準(zhǔn)化信號輸出。
傳感器模塊采用全焊接技術(shù)，內(nèi)部擁有一個(gè)整體化的過載膜片，一個(gè)壓力傳感器和一個(gè)溫度傳感器。溫度傳感器作為溫度補(bǔ)償?shù)膮⒖贾怠毫鞲衅鞯恼龎簜?cè)與傳感器膜盒的高壓腔相連，傳感器的負(fù)壓側(cè)與傳感器膜盒的低壓腔相連，壓力通過隔離膜片和填充液，傳遞給傳感器內(nèi)的硅芯片，使壓力傳感器的芯片的阻值發(fā)生變化，從而導(dǎo)致檢測系統(tǒng)輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比，再由適配單元和放大器轉(zhuǎn)化成一標(biāo)準(zhǔn)化信號輸出。
單晶硅壓力變送器報(bào)價(jià)
功能參數(shù)
| 在量程的上下限范圍內(nèi)，可以任意設(shè)置，只要標(biāo)定量程≥設(shè)置量程。 建議選擇量程比盡可能低的量程，以優(yōu)化性能。 | |
| 安裝位置的變化，會發(fā)生零位影響，可以通過調(diào)零校正，無量程影響。 | |
| 兩線制4-20mA，符合NAMIR NE43規(guī)范，疊加數(shù)字信號（Hart協(xié)議） | |
| Imin（最小）:3.9mA Imax（）=21.0mA | |
| 低報(bào)模式（最?。?.9mA 高報(bào)模式（）：21mA （用戶可預(yù)設(shè)定） | |
| 高報(bào)模式 | |
| 如果傳感器或電路出現(xiàn)故障，自動診斷功能自動輸出22.0mA | |
| 放大器部件阻尼常數(shù)為0.1s；傳感器時(shí)間常數(shù)為0.1～1.6s，取決于量程及量程比。 附加的可調(diào)時(shí)間常數(shù)為：0～100s | |
| <15s |
電磁兼容性(EMC)
A、射頻輻射試驗(yàn)| 3V/m | 80MHz-1GHz | 正立 | 水平極化 | 受試樣品內(nèi)存數(shù)據(jù)不變 |
| 垂直極化 | 受試樣品內(nèi)存數(shù)據(jù)不變 |
| 400A/m（X、Y、Z） | 受試樣品內(nèi)存數(shù)據(jù)不變 |
產(chǎn)品裝配分解圖
外型尺寸
表壓范圍和量程
| A | -6～6 | 0～1～6 | 量程±0.075%F.S/每年 誤差為量程的±0.1% （不含A量程） |
| B | -40～40 | 0～6～40 | |
| C | -100～100 | 0～40～100 | |
| D | -100～400 | 0～100～400 | |
| E | -100～4000 | 0～400～4000 | |
| F | -100～40000 | 0～4000～40000 |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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