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行業(yè)產(chǎn)品

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西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司


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碳化硅二極管浪涌電流,反向恢復(fù)特性測試

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參   考   價: ¥ 15

訂  貨  量: ≥1  件

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地西安市

聯(lián)系方式:蒲經(jīng)理查看聯(lián)系方式

更新時間:2026-09-29 16:43:00瀏覽次數(shù):42次

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經(jīng)營模式:其他

商鋪產(chǎn)品:16條

所在地區(qū):陜西西安市

聯(lián)系人:蒲經(jīng)理 (市場部經(jīng)理)

產(chǎn)品簡介
產(chǎn)地 國產(chǎn) 加工定制 否

碳化硅二極管浪涌電流,反向恢復(fù)特性測試西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市*經(jīng)濟開發(fā)區(qū),是一家從事功率半導(dǎo)體器件測試服務(wù)的,是CNAS 認(rèn)可實驗室,屬于大功率器件測試服務(wù)中心。

詳細介紹

功率器件要測哪些參數(shù)?IGBT要測那些參數(shù)?功率器件的靜態(tài)參數(shù)測試/功率器件的動態(tài)參數(shù)測試,歡迎聯(lián)系西安長禾半導(dǎo)體,我們是做深圳IGBT測試、深圳SiC測試、深圳間歇壽命測試、深圳老煉測試、HTGB測試、HTRB測試、HT3GB測試、深圳熱阻測試、RTH測試、靜態(tài)/動態(tài)參數(shù)測試、深圳DPA測試、失效分析。

碳化硅二極管浪涌電流,反向恢復(fù)特性測試

隨著技術(shù)發(fā)展,第三代半導(dǎo)體功率器件開始由實驗室階段步入商業(yè)應(yīng)用,未來應(yīng)用潛力巨大。通常這些新型器件測試要求更高的電壓和功率水平,更快的開關(guān)時間。西安長禾半導(dǎo)體積極布局第三代半導(dǎo)體功率器件的測試業(yè)務(wù),為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件參數(shù)檢測服務(wù),助力器件國產(chǎn)化、高新化發(fā)展。

碳化硅二極管浪涌電流,反向恢復(fù)特性測試

測試標(biāo)準(zhǔn):

覆蓋MIL-STD-750,IEC 60747系列,GB/T29332等標(biāo)準(zhǔn);服務(wù)內(nèi)容包括:靜態(tài)參數(shù),動態(tài)參數(shù),熱特性,雪崩耐量,短路特性及絕緣耐壓測試;設(shè)備支持0-1500A,0-3000V的器件參數(shù)檢測。

碳化硅二極管浪涌電流,反向恢復(fù)特性測試

產(chǎn)品范圍:

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導(dǎo)體器件等分立器件,以及上述元件構(gòu)成的功率模塊

測試項目:

靜態(tài)參數(shù) 符號

Drain to Source Breakdown Voltage       BVDSS

Drain Leakage Current                             IDSS

Gate Leakage Current                              IGSS

Gate Threshold Voltage                          VGS(th)

Drain to Source On Resistance                RDS(on)

Drain to Source On Voltage                      VDS(on)

Body Diode Forward Voltage                      VSD

Internal Gate Resistance                                Rg

Input capacitance                                       Cies

Output capacitance                                  Coes

Reverse transfer capacitance                    Cres

Transconductance                                   gfs

Gate to Source Plateau Voltage          Vgs(pl)

動態(tài)參數(shù) 符號

Turn-on delay time                                  td(on)

Rise time                                                     tr

Turn-off delay time                                    td(off)

Fall time                                                       tf

Turn-on energy                                         Eon

Turn-off energy                                         Eoff

Diode reverse recovery time                       trr

Diode reverse recovery charge                 Qrr

Diode peak reverse recovery current       Irrm

Diode peak rate of fall of reverse

recovery current                                       dirr/dt

Total gate charge                                       QG

Gate-Emitter charge                                QGC

Gate-Collector charge                             QGE

其他參數(shù) 符號

thermal resistance                                    Rth

Unclamped Inductive Switching              UIS

Reverse biased safe operating area        RBSOA

Short circuit safe operation area            SCSOA






















關(guān)鍵詞:標(biāo)準(zhǔn)

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