化學(xué)汽相沉積（Chemical Vapor Depoisition）是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用廣泛，用來沉積多種材料的技術(shù)之一：包括絕緣材料，多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。
簡而言之就是將兩種或兩種以上的氣態(tài)原廠料導(dǎo)入到一個反應(yīng)室，從而發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，以在晶體表面上沉積出一種新的材料。
但是事實上在反應(yīng)腔中發(fā)生的反應(yīng)是很復(fù)雜的，受各種條件的限制。如氣體流量、比率、壓力、溫度、陰極和陽極之間距離或者是否有額外的能量來源比如等離子體能量以及偏壓等等。
CVD技術(shù)通過反應(yīng)類型或者壓力來分類，包括低壓CVD（LPCVD）,常壓CVD（APCVD）,次常壓CVD（SACVD），超高真空CVD（UHCVD）,等離子體增強(qiáng)CVD（PECVD）,高密度等離子體CVD（HDPCVD）以及快熱CVD（RTCVD）,金屬有機(jī)會CVD（MOCVD）等。
臭氧因為其具有比較強(qiáng)的氧化，經(jīng)常用來提供反應(yīng)元之一的氧，與不同的化學(xué)材料復(fù)合來形成玻璃沉積
TEOS+O3→SiO2 USG,undoped silicon galss
TEPO+TEOS+O3→PSG 磷摻雜玻璃
TEB+TEPO+TEOS+O3→BPSG硼磷雜玻璃
TEB和TEPO亦可以用TMB TMP代替，均是含有硼或磷的硅基有機(jī)脂類
也有工廠利用其氧化性通過酸槽(Wet Bench)來實現(xiàn)濕法處理工藝的步驟，但是今年來由于其穩(wěn)定性以及控制系統(tǒng)的復(fù)雜性，被雙氧水替代。
以SACVD系統(tǒng)為例
次常壓CVD(SACVD)在進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)時。反應(yīng)腔中的壓力往往達(dá)到200Toor，甚至600Torr以上，所以被命名為次常壓CVD（Sub-Atomspheric Chemiacl Vapor Deposition）。
由正硅酸乙酯（TEOS）和臭氧直接施加一定溫度（常見的400度或者480度）和壓力（常見450Torr或者200Torr）反應(yīng)形成的
其中TEOS常溫下為液態(tài)，需要使用載體比如氦氣推送至某個低壓并且有加溫到110度左右的特定的液態(tài)到氣態(tài)的轉(zhuǎn)換裝置（比如Injection valve或者bubbler tank），然后進(jìn)過精確得計量器（Liquid flow meter/Mass Flow controller）通入反應(yīng)室。
廠務(wù)系統(tǒng)供應(yīng)的高純氧經(jīng)過MFC計量后通入臭氧發(fā)生器，加入少量氮氣體的配比會直接影響反應(yīng)室的化學(xué)反應(yīng)過程，因此臭氧的濃度是至關(guān)重要的。因為臭氧的不穩(wěn)定性（氧原子會隨時分離和復(fù)合回氧分子），所以臭氧發(fā)生器必須持續(xù)保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)以獲得穩(wěn)定濃度的臭氧混合氣。包括氣體進(jìn)出口的壓力，發(fā)生器的溫度都需要被嚴(yán)重管控，比如要施加進(jìn)準(zhǔn)的溫度控制，需要使用Chiller來控制發(fā)生器腔體的熱交換過程。
臭氧發(fā)生器產(chǎn)生的臭氧一般來說含量13%左右的O2/O3混合器，為了實現(xiàn)在線監(jiān)測，引入了臭氧檢測儀的應(yīng)用。
用過臭氧發(fā)生器出口的分流細(xì)管，采樣通過一個有石英窗的光譜儀，使用某個波長的紫外光透過氣體，就可以通過獲得特定的光譜，從而檢定氣體中臭氧的質(zhì)量含量。
待機(jī)狀態(tài)下，臭氧混合持續(xù)進(jìn)過旁路閥然后和前述在線臭氧檢測儀使用的分流氣匯合，流經(jīng)過尾氣分解裝置O3 destructor（含二氧化錳的一組蜂窩狀過濾裝置）促使臭氧充組降解為氧氣，排入一般制程排氣管路。
制程反應(yīng)需要使用臭氧時，旁路閥Diver valve會通過電磁閥控制切換到通往反應(yīng)室的一側(cè)，將混和器引導(dǎo)至反應(yīng)式參與反應(yīng)。反應(yīng)的剩余氣體會和其他反應(yīng)副產(chǎn)物一起經(jīng)過制程真空泵，然后由洗滌塔進(jìn)行尾氣處理。
為了確保尾氣分離裝置03 destructor的處理效率，可以加裝在線的尾氣殘余余臭氧低濃度檢測儀，常見的紫外吸收法（比爾朗博定律）即使用特征波長的紫外光來照射被檢測氣體，將獲得的信號通過轉(zhuǎn)換后進(jìn)行對比轉(zhuǎn)算，從而確保排放到一般排氣的尾氣的安全性。
由于反應(yīng)的條件不同，所需要的硬件設(shè)備也相應(yīng)的有所差異，SACVD可以大致分為
1、主機(jī)臺（MAINFRAME）
2、電氣控制柜（Controller）
3、工藝反應(yīng)腔（Process Chamber）
4、氣體控制柜（GASPANEL）
5、輔助設(shè)備：熱交換器，臭氧發(fā)生器，真空泵等。
