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CS2350H雙恒電位儀

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更新時間：2026-06-25 21:02:31瀏覽次數(shù)：371次

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產(chǎn)品簡介

CS2350H雙恒電位儀CS2350雙恒電位儀內(nèi)置兩套獨立的恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出。CS2350除了具備單通道工作站的所有特點，還可用于電化學(xué)反應(yīng)中間產(chǎn)物的檢測。配

詳細(xì)介紹

CS2350H雙恒電位儀是基于常規(guī)單通道系列CS350型發(fā)展而來，內(nèi)置兩套可實現(xiàn)獨立、同時測試的恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出，并由CS Studio軟件來協(xié)調(diào)輸出電位/電流。
具體應(yīng)用于：
（1）電合成、電沉積（電鍍）、陽極氧化、電解等反應(yīng)機理研究；
（2）電化學(xué)分析研究，包括：氧還原研究（ORR）、氧析出研究（OER）、氫析出（HER）、二氧化碳還原等；
（3）能源材料（鋰離子電池、太陽能電池、燃料動力電池和超級電容器等）、*功能材料以及傳感器的性能研究；
（4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評價；
（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護效率的快速評價。
CS2350H除了具備單通道工作站的所有特點，還可用于電化學(xué)分析四電極工作體系，尤其在氧還原（ORR）中間產(chǎn)物收集、金屬中氫擴散測試有著廣泛的運用。
典型應(yīng)用
配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）用于研究氧化還原體系
在測量圓盤電極極化曲線的同時，將環(huán)電壓設(shè)置為恒電位，控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢，用以檢測圓盤電極上產(chǎn)生的反應(yīng)中間物，該方法也成為檢測反應(yīng)中間物和研究電極反應(yīng)機理的典型流體動力學(xué)方法。氧還原反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和相應(yīng)的雙氧水（中間產(chǎn)物）產(chǎn)率可分別通過公式測得：

其中知I_disk和I_ring分別為測得的盤電流和環(huán)電流，電極收集效率N由盤環(huán)電極參數(shù)決定（常數(shù)）。將測試結(jié)果代入以上公式即可求得實際反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n和H₂O₂（%）所占比例。

圖1. 氧還原（ORR）中間產(chǎn)物檢測

金屬中氫擴散測試

兩個恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski雙電解池，通過左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽極氧化電流測量，進而計算氫原子在金屬中擴散系數(shù)和氫通量。

圖2. 金屬中氫擴散控制

硬件參數(shù)指標(biāo)

單恒電位電位控制范圍	±10V
雙恒電位儀電位控制范圍	±10V
恒電流控制范圍	±2A
電位控制精度	0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
電流控制精度	0.1%×滿量程讀數(shù)
電位靈敏度	10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)
電流靈敏度	1pA
電位上升時間	＜1μs(<10mA),＜10μs(<2A)
電流量程	2A～2nA, 共10檔
參比電極輸入阻抗	1012Ω\|\|20pF
輸出電流	2A
槽壓輸出	±21V
電流掃描增量	1mA @1A/mS
CV和LSV掃描速度	0.001mV～10,000V/s
電位掃描電位增量	0.076mV @1V/mS
CA和CC脈沖寬度	0.0001～65,000s
DPV和NPV脈沖寬度	0.0001～1000s
SWV頻率	0.001～100KHz
CV的最小電位增量	0.075mV
AD數(shù)據(jù)采集	16bit@1MHz，20bit @1kHz
電流與電位量程	自動設(shè)置
DA分辨率	16bit
建立時間	1μS
低通濾波器	8段可編程
通訊接口	網(wǎng)口
儀器凈重	7.5Kg
外形尺寸（cm）	36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)

電化學(xué)阻抗測量參數(shù)

信號發(fā)生器
頻率響應(yīng)	10μHz～1MHz
交流信號幅值	1mV～2500mV
頻率精確度	0.005%
信號分辨率	0.1Mv RMS
直流偏壓	-10V～+10V
DDS輸出阻抗	50Ω
波形	正弦波，三角波，方波
正弦波失真率	<1%
掃描方式	對數(shù)/線性，增加/下降
信號分析器
積分時間	106個循環(huán)或者105S
測量時間延遲	0～105秒
最小積分時間	10mS 或者一個循環(huán)的最長時間
直流偏置補償
電位補償范圍	-10V～+10V
電流補償范圍	-1A～+1A
帶寬調(diào)整	自動或手動設(shè)置, 共8級可調(diào)

配置：
1）儀器主機1臺
2）CS Studio測試與分析軟件1套
3）專用電解池（含鹽橋和排氣管）2套
4）鉑金電極、參比電極、工作電極各2支
5）模擬電解池1個
6）電源線/通訊線各1條
7）電極電纜線2條
8）屏蔽箱（選配*）

穩(wěn)態(tài)極化
開路電位測量（OCP）、恒電位極化（i-t曲線）、恒電流極化、動電位掃描（TAFEL曲線）、動電流掃描（DGP）
暫態(tài)極化
任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍（ISTEP）
計時分析
計時電位法（CP）、計時電流法（CA）、計時電量法（CC）
伏安分析
線性掃描伏安法（LSV）、線性循環(huán)伏安法（CV）、階梯循環(huán)伏安法（SCV）、方波伏安法（SWV）、差分脈沖伏安法（DPV）、常規(guī)脈沖伏安法（NPV）、常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）、差分脈沖電流檢測法（DPA）、雙差分脈沖電流檢測法（DDPA）、三脈沖電流檢測法（TPA）、積分脈沖電流檢測法（IPAD）、交流伏安法（ACV）、二次諧波交流伏安（SHACV）、傅立葉變換交流伏安（FTACV）
溶出伏安
恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安、差分脈沖溶出伏安、常規(guī)脈沖溶出伏安、常規(guī)差分脈沖溶出伏安、交流溶出伏安
交流阻抗
電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～時間掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～電位掃描（Mott-Schottky曲線）
腐蝕測量
循環(huán)極化曲線（CPP）、線性極化曲線（LPR）、動電位再活化法（EPR)、電化學(xué)噪聲（EN）、電偶腐蝕測量（ZRA）、氫擴散測試
電池測試
電池充放電測試、恒電流充放電
擴展測量
盤環(huán)電極測試、數(shù)字記錄儀、波形發(fā)生器、圓盤電機控制、其它外設(shè)擴展端口（定制）