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電容式互感器介質(zhì)損耗試驗(yàn)

閱讀:359發(fā)布時(shí)間:2024-6-7

< ># 電容式電壓互感器介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量試驗(yàn)------------## (一) 試驗(yàn)?zāi)康募耙饬x介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量試驗(yàn)?zāi)苡行У匕l(fā)現(xiàn)互感器局部集中性或整體分布性的缺陷, 配合電容量的變化狀況可判斷是否存在絕緣老化、受潮或本體缺油現(xiàn)象。------------## (二) 試驗(yàn)方法及接線220kV 電壓等級(jí)電容式電壓互感器由上、 下兩節(jié)組成, 500kV 電壓等級(jí)電容式電壓 互感器由上、 中、 下三節(jié)組成, 試驗(yàn)接線可參考如下。**1. 上節(jié)介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量試驗(yàn)**對(duì)于 220kV 電壓等級(jí)電容式電壓互感器, 由于檢修時(shí)一般會(huì)拆除上部引線, 其上節(jié)介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量試驗(yàn)可采用正接法, 接線示意圖如圖 2 - 9 所示。![](/storage/admin/article/20230211/492bed98515d1693f5d2c62f0b32d657.png)對(duì)于不拆引線的電容式電壓互感器按其安裝位置的不同, 可分為線路、 母線和變壓器出口電容式電壓互感器, 對(duì)不同安裝位置的電容式電壓互感器可分別采用 QS1 電橋正接法、 反接屏蔽法進(jìn)行上節(jié)介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量試驗(yàn)。母線和變壓器出口電容式電壓互感器可采用正接法。 由于該電容式電壓互感器與 MOA 或變壓器并聯(lián), 不拆高壓引線, 只拆除變壓器中性點(diǎn)接地引線,MOA 及變壓 器均可承受施加于電容式電壓互感器上的 10kV 交流試驗(yàn)電壓。 流經(jīng) MOA 及變壓器的 電流由試驗(yàn)電源提供, 不流過橋體。 故并聯(lián)的變壓器, MOA 不會(huì)對(duì)測量產(chǎn)生影響, 而強(qiáng)烈的干擾電流又大部分被試驗(yàn)變壓器旁路掉, 因此可得到滿意的結(jié)果。線路電容式電壓互感器可采用反接屏蔽法。 由于該電容式電壓互感器不經(jīng)隔離開關(guān)而直接與線路相連, 故電容式電壓互感器上節(jié)不可采用正接線, 否則試驗(yàn)電壓將隨線路送出, 這是不允許的。 實(shí)踐表明, 在感應(yīng)電壓不十分強(qiáng)烈的情況下, 采用反接屏蔽法仍能取得滿意的結(jié)果。 其試驗(yàn)接線如圖 2 - 10 所示。**2. 中節(jié)介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量試驗(yàn)**500kV 及以上電壓等級(jí)電容式電壓互感器中節(jié)介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量試驗(yàn), 應(yīng)采用正接法進(jìn)行, 接線示意圖如圖 2 - 11 所示。![](/storage/admin/article/20230211/9d4a74ce72f68d937dc3e6d6ea6084bd.png)3. 下節(jié)介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量試驗(yàn)電容單元與電磁單元可以拆開的情況。 對(duì)于電容單元與電磁單元可以拆開的, 電容單元各元件的介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量應(yīng)分別進(jìn)行, 建議盡量采用正接法, 試驗(yàn)施 加電壓為交流 10kV, 接線示意圖如圖 2 - 12 所示。電容單元與電磁單元無法拆開的情況。 對(duì)于電容單元與電磁單元無法拆開且 C1與C2間無抽頭引出的, 宜采用自激法接線分別測量電容單元各元件的介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量。圖2 -13 和圖2 -14 是用 QS1 電橋自激法測量下節(jié)介質(zhì)損耗及電容量的接線示意圖。![](/storage/admin/article/20230211/e0b2b9b16aa752602dda125acc47f553.png)![](/storage/admin/article/20230211/8be02a431ff8830a5aec87afdda68e51.png)數(shù)字式自動(dòng)介損測試儀 (自激法) 測電容式電壓互感器 tanδ 時(shí), 其接線示意如圖2 - 15 所示。 ![](/storage/admin/article/20230211/e0d99b0df26ed28149a92f7acca2def3.png)對(duì)于電容單元與電磁單元無法拆開且 C1與 C2間有抽頭引出的, 電容單元各元件的介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量應(yīng)分別進(jìn)行, 建議盡量采用正接法, 試驗(yàn)施加電壓為交流 10kV,接線示意圖如圖 2 - 16 和圖 2 - 17 所示。![](/storage/admin/article/20230211/3bf04112e7e4173e48e0d9c03d9f2b79.png)試驗(yàn)步驟:記錄試驗(yàn)現(xiàn)場的環(huán)境溫度、 濕度。對(duì)被試設(shè)備充分放電后可靠接地。檢查介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀是否正常。根據(jù)被試品類型及內(nèi)部結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的接線方式, 開始進(jìn)行試驗(yàn)接線并檢查確認(rèn)接線正確。設(shè)置試驗(yàn)儀器參數(shù) (試驗(yàn)電壓值、 接線方式), 升壓至試驗(yàn)電壓后讀取介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量。 測量下節(jié)介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量時(shí), 考慮到 C2電容低壓端絕緣耐受情況, 應(yīng)保證施加在 “δ" 點(diǎn)的電壓小于 3kV。降壓至零, 然后斷開電源, 充分放電后拆除接線, 恢復(fù)被試設(shè)備試驗(yàn)前接線狀態(tài), 結(jié)束試驗(yàn)。(三) 試驗(yàn)數(shù)據(jù)分析和處理將結(jié)果與有關(guān)數(shù)據(jù)比較, 包括同一設(shè)備的各相的數(shù)據(jù)、 同類設(shè)備間的數(shù)據(jù)、 出廠試驗(yàn)數(shù)據(jù)、 耐壓前后數(shù)據(jù)、 歷次同溫度下的數(shù)據(jù)等。 為便于比較, 宜將不同溫度下測得的數(shù)值換算至 20℃ , 20 ~ 80℃時(shí), 經(jīng)驗(yàn)公式為![](/storage/admin/article/20230211/639ba5deb539942cd8a04e1ce17fa4a4.png)式中 tanδ0———溫度 t 0時(shí)的介質(zhì)損耗因數(shù)值 (一般取 t 0 = 20℃ );tanδ———溫度 t 時(shí)的介質(zhì)損耗因數(shù)值。若試驗(yàn)結(jié)果超標(biāo), 結(jié)合絕緣電阻、 絕緣油試驗(yàn)、 耐壓、 紅外成像、 高壓介質(zhì)損耗因數(shù)等試驗(yàn)項(xiàng)目結(jié)果綜合判斷。

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