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杭州博源光電科技有限公司


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BeamMap2,多平面狹縫掃描光束分析儀

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更新時間:2026-07-08 11:42:24瀏覽次數(shù):223次

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產(chǎn)品簡介

簡介標(biāo)準(zhǔn)的狹縫掃描是通過改變位于檢測器之前的XY方向的狹縫

詳細(xì)介紹


簡介

標(biāo)準(zhǔn)的狹縫掃描是通過改變位于檢測器之前的XY方向的狹縫。帶有USB 2.0端口驅(qū)動的BeamMap2,有多個位于不同Z平面的狹縫的轉(zhuǎn)盤,可以測量多個Z平面的XY強度分布,計算直徑和中心實現(xiàn)實時測定和調(diào)整。


儀器特點

190 至 1150 nm, 硅探測器

650 至 1800 nm, InGaAs探測器

1000 至 2300nm 或 2500 nm, InGaAs探測器

多個平面空間可選

光束直徑從5 µm 至 4 mm, 在刀峰模式下可達(dá)2 µm*

USB 2.0供電; 靈活的3m長導(dǎo)線

0.1 µm 采樣分辨率

線性與對數(shù)表達(dá)X-Y輪廓和質(zhì)心

輪廓縮放和狹縫寬度補償

實時多Z平面掃描狹縫系統(tǒng)

實時 XYZ 輪廓,焦點位置

實時 M2、發(fā)散、準(zhǔn)直、對齊


*基于模式

3.png


應(yīng)用領(lǐng)域

激光印刷與激光打標(biāo)

科研激光器

半導(dǎo)體激光系統(tǒng)

光纖通信系統(tǒng)

研發(fā),生產(chǎn),現(xiàn)場服務(wù)

連續(xù)/脈沖激光器,Φ µm ≥ [500/(PRR in kHz)]

在M2DU平臺上測量M2



技術(shù)參數(shù)

型號

BeamMap2

BeamMap2-CM

波長范圍

硅探測器: 190 至 1150 nm

InGaAs探測器: 650 至 1800 nm

硅 + InGaAs 探測器: 190 至 1800 nm

硅 + InGaAs (拓展) 探測器: 190 至 2300 或 2500 nm

可掃描的光束直徑

硅探測器: 5 µm 至 4 mm, 刀鋒模式下可達(dá)2 µm*

InGaAs探測器: 10 µm 至 3 mm, 刀鋒模式下可達(dá)2 µm*

InGaAs (拓展) 探測器: 10 µm 至 2 mm, 刀鋒模式下可達(dá)2 µm*

平面空間

4XY 模式:

100 µm: -100, 0, +100, +400 µm

250 µm: -250, 0, +250, +1000 µm

500 µm: -500, 0, +500, +2000 µm

750 µm: -750, 0, +750, +3000 µm

CM4 模式:

5 mm: -5, 0, +5, +20 mm

平面空間

3XYKE 模式:

50 µm: -50, 0, +50, 0 µm

100 µm: -100, 0, +100, 0 µm

CM3 模式:

10 mm: -10, 0, +10, 0 mm

束腰直徑測量

二次矩 (4s) 直徑 ISO 11146; 擬合高斯函數(shù)和TopHat函數(shù)

1/e2 (13.5%) 寬度

用戶可選的峰值%

刀鋒模式下,用于測量很小的光束

束腰位置測量

± 20 µm在 X, Y 和 Z 平面上

可測量光源

連續(xù)/脈沖激光器, F µm = [500/(PRR in kHz)]

分辨率精度

0.1 µm 或 0.05%,在掃描范圍內(nèi)

± < 2% ± = 0.5 µm

M2 測量

1 至 > 20, ± 5%

發(fā)散/準(zhǔn)直,指向

1 mrad

功率和輻照度

1 W 總功率,0.5 mW/µm2

增益范圍

1,000:1 Switched 4,096:1 ADC范圍

顯示圖形

X-Y-Z 位置和輪廓,縮放 x1 到 x16

更新速率

~5 Hz

通過/失敗顯示

屏幕上可選擇的通過/失敗顏色。 QC和生產(chǎn)的理想選擇。

多次運行取均值

用戶可選擇的運行平均值(1 到 8 個樣本)

數(shù)據(jù)統(tǒng)計

最小值,值,平均值,標(biāo)準(zhǔn)差

長時間記錄數(shù)據(jù)

XY 輪廓和質(zhì)心

光束漂移顯示和記錄

PC系統(tǒng)要求

Windows, 2 GB RAM, USB 2.0/3.0 port




測試數(shù)據(jù)

2.png





尺寸圖

4.jpg


關(guān)鍵詞:標(biāo)準(zhǔn) 顯示屏
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