西安勵德博特科學儀器有限公司
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閱讀：435發(fā)布時間：2022-4-14
SiC與其他半導體材料的性能比較
在SiC材料的研究與開發(fā)中，傅立葉變換紅外光譜技術（FT-IR）是一種簡單而有效的研究其各種性能的工具。它可以用于測定摻雜濃度、外延層厚度或聲子光譜，對晶體結(jié)構(gòu)和質(zhì)量提供有價值的信息。基于傅立葉變換紅外的光致發(fā)光光譜技術（FT-PL）可以提供額外的信息，如能帶結(jié)構(gòu)和電荷載流子的細節(jié)。透射光譜技術可以研究半導體的帶隙、激子和其他電子特性。此外，碳化硅雜質(zhì)和缺陷分析也是材料開發(fā)和質(zhì)量控制的重要步驟。
布魯克（Bruker）公司的VERTEX和INVENIO系列研究級傅立葉變換紅外光譜系統(tǒng)，可以覆蓋從FIR到VIS/UV的寬光譜范圍，擁有的步進掃描技術和出色的性能，可選真空光學臺，是上述許多應用的分析系統(tǒng)。
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