深圳市怡和興機電科技有限公司
深圳市怡和興機電科技有限公司
閱讀：16發(fā)布時間：2026-5-21
聚酰亞胺的應用
在大多數(shù)微電子應用中，聚酰亞胺涂層通常是旋涂在基材上。同樣的工藝和基本工具組也用于應用液體光刻膠。為了實現(xiàn)對硅、氧化物和大多數(shù)金屬的附著力，需要使用附著力促進劑。一些聚酰亞胺有內(nèi)置的附著力促進劑，而另一些則需要在應用聚酰亞胺之前應用單獨的附著力促進劑或耦合劑。附著力促進劑可通過旋涂法進行應用，旋涂法能確保的均勻性和涂層質量。
除了常用的旋涂法，還有其他應用技術比拉伸、噴霧、擠壓、滾筒、浸漬和滴涂也可用于聚酰亞胺的應用。
聚酰亞胺圖案化制作
三個常見的圖案化技術是濕法蝕刻、干法蝕刻和光刻的聚酰亞胺。濕法蝕刻和可照相定義的聚酰亞胺都是在最終固化之前進行圖案設計。干法蝕刻工藝要求聚酰亞胺層在蝕刻工藝之前固化。
濕法蝕刻圖案
濕法蝕刻圖案利用濕法化學與液體光阻相結合，在聚酰亞胺層中確定所需圖案。蝕刻圖案，利用濕化學與液體光刻膠相結合，在聚酰亞胺層中定義所需的圖案。濕式蝕刻 處理通常用于圖案粗大的特征，如粘合墊或 大的通孔?？梢钥煽康貙崿F(xiàn)1至5的縱橫比。
基礎工藝包括聚酰亞胺層的旋涂和部分固化，使用一個或多個在線熱板或有時使用對流爐。在上面涂上一層正面的光刻膠，進行烘烤和成像。然后用標準的基于TMAH的顯影劑（0.26N）對光致抗蝕劑進行顯影。該顯影劑將同時濕潤蝕刻成像區(qū)域的底層，在成像區(qū)域的聚酰亞胺。在顯影/蝕刻和水沖洗之后，使用液體光刻膠剝離劑剝離光刻膠。然后，圖案化的聚酰亞胺晶片被固化，以完成亞胺化過程并去除殘留的溶劑。
光敏的聚酰亞胺
光敏聚酰亞胺允許對相對精細的特征進行圖案化。在固化的薄膜中，長寬比可以達到 在固化的薄膜中可以達到1比1的長寬比。
基本工藝包括聚酰亞胺的旋涂和一個干燥步驟。步驟，使用一個或多個在線熱板或一個對流爐。聚酰亞胺 然后，聚酰亞胺層在一個標準的I或G線光刻工具上曝光。A 負色調(diào)的光罩通常是需要的，因為大多數(shù)可光定義的 聚酰亞胺是負作用的。成像后，晶圓在一個傳統(tǒng)的軌道線上被顯影。傳統(tǒng)的軌道線。在顯影和沖洗后，聚酰亞胺層被固化，以使膠片亞胺化并去除光包。在顯影和沖洗之后，聚酰亞胺層被固化，以使薄膜亞胺化并去除光包。
干蝕刻圖案和激光燒蝕
干蝕刻圖案通常用于長寬比大于1比1的非常精細的特征尺寸。
該過程始于聚酰亞胺層的應用和固化。
固化后，在聚合物層上涂抹不透光的光刻膠或干式蝕刻掩膜。通常使用鋁或CVD氧化物的薄膜。在蝕刻掩模上涂抹光阻劑并進行成像，以確定所需的圖案。然后將晶圓或襯底放在等離子體或反應離子蝕刻機中，通常是平行板結構。
蝕刻機，通常配置工藝參數(shù)和氣體然后對工藝參數(shù)和氣體混合物進行優(yōu)化，以形成蝕刻掩模。混合氣體被切換到氧氣/CF混合氣體，參數(shù)被設定為蝕刻底層聚酰亞胺并去除光照。底層聚酰亞胺并去除光刻膠。然后，通過切換回蝕刻參數(shù)或使用濕法來剝離蝕刻面具。
激光燒蝕也是從一個固化的薄膜開始的。具體的圖案制作 過程取決于激光工具的配置。
聚酰亞胺的固化
聚酰亞胺薄膜的固化包括將溶劑載體或其他揮發(fā)性物質從該層中去除，以及將聚合物亞胺化或硬化為難纏的聚酰亞胺薄膜。這種固化過程通常是分步驟進行的，通常采用一個爐子或可編程烤箱用于最終固化。最終固化通常在280-400℃之間進行，取決于應用。
儀表網(wǎng) 設計制作，未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ?
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼